Počet záznamů: 1
Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD
- 1.
SYSNO ASEP 0104229 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD Překlad názvu Charakterizace tenkých vrstev a-SiOC:H připravených metodou PECVD Tvůrce(i) Vaněk, J. (CZ)
Čech, V. (CZ)
Přikryl, R. (CZ)
Zemek, Josef (FZU-D) RID, ORCID
Peřina, Vratislav (UJF-V) RIDZdroj.dok. Czechoslovak Journal of Physics. - : Springer - ISSN 0011-4626
Roč. 54, Suppl. C (2004), s. C937-C942Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova vinyltriethoxysilane ; thin film ; PECVD Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP ME 597 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy OC 527.110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA104/03/0236 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Hydrogenated amorphous silicon oxycarbide (a-SiOC:H) thin films were deposited on silicon wafers from vinyltriethoxysilane(VTES) precursor. The elemental comosition of thin films were studied by conventional and resonant Rutherford Bacscattering Spectrometry (RBS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) methods. The Si, C. and O bulk content was correlated with surface one determined from analyses of the photoelectron spectra using XPS Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1