Počet záznamů: 1  

Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD

  1. 1.
    0104229 - FZU-D 20040571 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
    Vaněk, J. - Čech, V. - Přikryl, R. - Zemek, Josef - Peřina, Vratislav
    Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD.
    [Charakterizace tenkých vrstev a-SiOC:H připravených metodou PECVD.]
    Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, Suppl. C (2004), s. C937-C942. ISSN 0011-4626
    Grant CEP: GA MŠk ME 597; GA MŠk OC 527.110; GA ČR GA104/03/0236
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: vinyltriethoxysilane * thin film * PECVD
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.292, rok: 2004

    Hydrogenated amorphous silicon oxycarbide (a-SiOC:H) thin films were deposited on silicon wafers from vinyltriethoxysilane(VTES) precursor. The elemental comosition of thin films were studied by conventional and resonant Rutherford Bacscattering Spectrometry (RBS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) methods. The Si, C. and O bulk content was correlated with surface one determined from analyses of the photoelectron spectra using XPS

    Tenké vrstvy hydrogenovaného amorfního oxikarbidu křemíku (a-SiOC:H) byly deponovány na křemíkové podložky z prekurzoru VTES. Složení tenkých vrstev bylo studováno běžnou a resonanční metodou RBS a ERDA. Objemové koncentrace Si, C a O byly porovnány s povrchově citlivými údaji z XPS
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000148

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.