0104229 - FZU-D 20040571 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, J. - Čech, V. - Přikryl, R. - Zemek, Josef - Peřina, Vratislav
Basic characteristics of the a-SiOC:H thin films prepared by PE CVD.
[Charakterizace tenkých vrstev a-SiOC:H připravených metodou PECVD.]
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, Suppl. C (2004), s. C937-C942. ISSN 0011-4626
Grant CEP: GA MŠMT ME 597; GA MŠMT OC 527.110; GA ČR GA104/03/0236
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: vinyltriethoxysilane * thin film * PECVD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.292, rok: 2004

Hydrogenated amorphous silicon oxycarbide (a-SiOC:H) thin films were deposited on silicon wafers from vinyltriethoxysilane(VTES) precursor. The elemental comosition of thin films were studied by conventional and resonant Rutherford Bacscattering Spectrometry (RBS) and Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) methods. The Si, C. and O bulk content was correlated with surface one determined from analyses of the photoelectron spectra using XPS

Tenké vrstvy hydrogenovaného amorfního oxikarbidu křemíku (a-SiOC:H) byly deponovány na křemíkové podložky z prekurzoru VTES. Složení tenkých vrstev bylo studováno běžnou a resonanční metodou RBS a ERDA. Objemové koncentrace Si, C a O byly porovnány s povrchově citlivými údaji z XPS
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000148