Počet záznamů: 1
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence
- 1.
SYSNO 0100041 Název Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence Překlad názvu Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence Tvůrce(i) Mačkal, Adam (FZU-D) Zdroj.dok. Proceedings of the International Student Conference on Electrical Engineering. s. EI20-EI21. - Praha : Faculty of Electrical Engineering CTU, 2003 Konference International Student Conference on Electrical Engineering /7./, Praha, 22.05.2003 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant IAA1010318 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D MSM 212300014 Jazyk dok. eng Země vyd. CZ Klíč.slova strained quantum well * InAs * GaAs * polarisation * electroluminescence * photoabsorption Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0007549
Počet záznamů: 1