0100041 - FZU-D 20040017 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence.
[Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence.]
Proceedings of the International Student Conference on Electrical Engineering. Praha: Faculty of Electrical Engineering CTU, 2003, s. EI20-EI21. Book of Extended Abstracts.
[International Student Conference on Electrical Engineering /7./. Praha (CZ), 22.05.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * polarisation * electroluminescence * photoabsorption
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperature (above 25^oC). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range

Příspěvek obsahuje elektroluminiscenční, fotoabsorpční a polarizační vlastnosti polovodičových laserů s tenkými napjatými vrstvami InAs v GaAs při zvýšených teplotách (nad 25^o C). Tyto lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízkou prahovou proudovou hustotu a široký obor pracovních teplot
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007549