Počet záznamů: 1  

Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence

  1. 1.
    0100041 - FZU-D 20040017 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mačkal, Adam
    Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence.
    [Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence.]
    Proceedings of the International Student Conference on Electrical Engineering. Praha: Faculty of Electrical Engineering CTU, 2003, s. EI20-EI21. Book of Extended Abstracts.
    [International Student Conference on Electrical Engineering /7./. Praha (CZ), 22.05.2003]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
    Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * polarisation * electroluminescence * photoabsorption
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperature (above 25oC). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range

    Příspěvek obsahuje elektroluminiscenční, fotoabsorpční a polarizační vlastnosti polovodičových laserů s tenkými napjatými vrstvami InAs v GaAs při zvýšených teplotách (nad 25o C). Tyto lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízkou prahovou proudovou hustotu a široký obor pracovních teplot
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007549

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.