Počet záznamů: 1  

Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence

    1.
    SYSNO ASEP0100041
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevLasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence
    Překlad názvuLasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence
    Tvůrce(i) Mačkal, Adam (FZU-D)
    Zdroj.dok.Proceedings of the International Student Conference on Electrical Engineering. - Praha : Faculty of Electrical Engineering CTU, 2003
    Rozsah strans. ei20-ei21
    Poč.str.2 s.
    AkceInternational Student Conference on Electrical Engineering /7./
    Datum konání22.05.2003
    Místo konáníPraha
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovastrained quantum well ; InAs ; GaAs ; polarisation ; electroluminescence ; photoabsorption
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPIAA1010318 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z1010914 - FZU-D
    MSM 212300014
    AnotaceContribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperature (above 25oC). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2005

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše