Počet záznamů: 1
Studium struktury a růstu nizkoteplotního protokrystalického křemíku pomocí AFM mikroskopu
- 1.
SYSNO ASEP 0100037 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Studium struktury a růstu nizkoteplotního protokrystalického křemíku pomocí AFM mikroskopu Překlad názvu Influence of film thickness, silane concentration and substrate temperature on structure and electrical properties of thin film protocrystalline silicon Tvůrce(i) Mates, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
Fojtík, Petr (FZU-D)
Luterová, Kateřina (FZU-D)
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Československý časopis pro fyziku. - : Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - ISSN 0009-0700
Roč. 53, - (2003), s. 93-96Poč.str. 4 s. Jazyk dok. cze - čeština Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova PECVD ; microcrystalline silicon ; AFM Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd IAB2949101 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Studium vlivu tlouštky vrstvy, koncentrace silanu a teploty substrátu na strukturu a elektrické vlastnosti tenkých vrstev mikrokrystalického křemíku, připraveného pomocí PECVD. Překlad anotace Study of influence of film thickness, silane concentration and substrate temperature on structure and electrical properties of thin microcrystalline siliconfilms by PECVD is presented. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1