0100037 - FZU-D 20040013 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Drbohlav, Ivo - Rezek, Bohuslav - Fojtík, Petr - Luterová, Kateřina - Pelant, Ivan - Kočka, Jan
Studium struktury a růstu nizkoteplotního protokrystalického křemíku pomocí AFM mikroskopu.
[Influence of film thickness, silane concentration and substrate temperature on structure and electrical properties of thin film protocrystalline silicon.]
Československý časopis pro fyziku. Roč. 53, - (2003), s. 93-96. ISSN 0009-0700
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA AV ČR IAB2949101
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: PECVD * microcrystalline silicon * AFM
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Studium vlivu tlouštky vrstvy, koncentrace silanu a teploty substrátu na strukturu a elektrické vlastnosti tenkých vrstev mikrokrystalického křemíku, připraveného pomocí PECVD.

Study of influence of film thickness, silane concentration and substrate temperature on structure and electrical properties of thin microcrystalline siliconfilms by PECVD is presented.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007545