Počet záznamů: 1  

Design of Setup for Laser Induced Plasma Etching

  1. 1.
    SYSNO ASEP0617414
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevDesign of Setup for Laser Induced Plasma Etching
    Tvůrce(i) Šilhan, Lukáš (UPT-D)
    Novotný, Jan (UPT-D) ORCID, SAI, RID
    Plichta, Tomáš (UPT-D) ORCID, SAI
    Ježek, Jan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Vaculík, Ondřej (UPT-D)
    Šerý, Mojmír (UPT-D) RID, SAI
    Celkový počet autorů6
    Zdroj.dok.2024 37th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2024. - New York : IEEE, 2024 - ISSN 2164-2370 - ISBN 979-8-3503-7977-8
    Rozsah strans. 44-45
    EdiceInternational Vacuum Nanoelectronics Conference
    Poč.str.2 s.
    Forma vydáníTištěná - P
    AkceInternational Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) /37./
    Datum konání15.07.2024 - 19.07.2024
    Místo konáníBrno
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovavacuum chamber ; plasma etching ; femtosecond laser ; micromachining ; three-dimensional displays ; lithography ; electronics industry ; surface emitting lasers ; ignition
    Vědní obor RIVBH - Optika, masery a lasery
    Obor OECDOptics (including laser optics and quantum optics)
    CEPTN02000020 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
    Institucionální podporaUPT-D - RVO:68081731
    UT WOS001310530600005
    EID SCOPUS85204066231
    DOI https://doi.org/10.1109/IVNC63480.2024.10652276
    AnotacePlasma etching introduces a physically activated chemical process highly utilized in the semiconductor industry. However, for the creation of etched structures mask has to be prepared on top of the etched surfaces. This is usually achieved by electron beam lithography, which adds to the complexity and financial demands of the overall process. We present the design of a setup for maskless plasma etching, which utilizes a tightly focused ultrashort laser pulse for the ignition of etching plasma in a custom vacuum chamber with a connection to a gas-containing etching species. In addition, etched structures are written into the surface of sample by scanning with the vacuum chamber with relation to fixed laser focus. This enables maskless 3D etching of samples with a less complicated technological process.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2025
    Elektronická adresahttps://ieeexplore.ieee.org/document/10652276
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.