Počet záznamů: 1
Selective ultrashort laser annealing of amorphous Ge/Si multilayer stacks
- 1.
SYSNO ASEP 0569418 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Selective ultrashort laser annealing of amorphous Ge/Si multilayer stacks Tvůrce(i) Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCID
Volodin, V.A. (RU)
Cheng, Y. (RU)
Levy, Yoann (FZU-D)
Beránek, Jiří (FZU-D)
Nagisetty, Siva S. (FZU-D)
Zukerstein, Martin (FZU-D) ORCID
Popov, A. A. (RU)
Bulgakov, Alexander (FZU-D) ORCIDCelkový počet autorů 9 Číslo článku 06012 Zdroj.dok. EPJ Web of Conferences, 266. - Les Ulis : EDP Science, 2022 Poč.str. 2 s. Forma vydání Online - E Akce EOS Annual Meeting (EOSAM 2022) Datum konání 12.09.2022 - 16.09.2022 Místo konání Porto Země PT - Portugalsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. FR - Francie Klíč. slova laser crystallization ; femtosecond and picosecomd laser ; Raman scattering technique Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 DOI 10.1051/epjconf/202226606012 Anotace Single-short las. crystalliz. of Ge/Si multilayer stacks consisting of alternating amorphous nanosized films of silicon and germanium using near- and mid-infrared femtosec. and picosec. las. pulses.The phase composition of the irradiated stacks was investigated by the Raman scattering technique.Several non-ablative regimes of crystalliz. were found,from partial crystalliz. of germanium without intermixing the Ge/Si layers to complete intermixing of the layers with formation of GexSi1-x solid alloys.The roles of one- and two-photon absorption,thermal and non-thermal melting processes,and laser-induced stresses in selective pico- and femtosecond laser annealing are analysed based on theoretical estimations and comparison with experimental data.It is concluded that,due to a mismatch of the thermal expansion coefficients between the adjacent stack layers,efficient explosive solid-phase crystallization of the Ge layers is possible at relatively low temperatures,well below the melting point. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2023 Elektronická adresa https://www.epj-conferences.org/articles/epjconf/pdf/2022/10/epjconf_eosam2022_06012.pdf
Počet záznamů: 1