Dusíkom dopované diamantové vrstvy

0502326 - FZÚ 2019 RIV SK cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Michniak, P. - Ižák, Tibor - Potocký, Štěpán - Kromka, Alexander
Dusíkom dopované diamantové vrstvy.
[Nitrogen-doped diamond layers.]
Conference proceedings of the 20th School of Vacuum Technology - Nanoelectronics and Vacuum. Bratislava: Slovenská vákuová spoločnosť, 2018 - (Michalka, M.; Vincze, A.), s. 94-97. ISBN 978-80-99905-00-0.
[School of Vacuum Technology - Nanoelectronics and Vacuum /20./. Štrbské Pleso (SK), 23.10.2018-26.10.2018]
Grant CEP: GA MZd(CZ) NV15-33018A
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: doped diamond * chemical vapor deposition * Raman spectroscopy * Hall measurements
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Dusíkom dopované diamantové vrstvy boli pripravené metódou MW CVD pri rôznych pomeroch CH4/N2/H2. Na určenie ich základných vlastností boli použité metódy SEM, optická interferenciometria, Ramanova spektroskopia a Hallove merania. Rast mikrokryštalickej diamantovej vrstvy prebehol iba pri vrstvách bez dopácie N2, a teda dopácia N2 spôsobí zmenu mikrokryštalickej diamantovej vrstvy na nanokryštalickú diamantovú vrstvu, čo potvrdila aj Ramanova spektroskopia. Analyzovaná el. vodivosť NDD vrstiev pravdepodobne nesúvisí s dopáciou N2.

In this contribution analysis of nitrogen doped diamond (NDD) prepared by Microwave Chemical Vapor Deposition on SiO2/Si structure is described. Three series of NDD samples were grown in different CH4/H2 gas flow (2, 5, and 8%). Nitrogen present in growth chamber caused a nitrogen dopation. In this contribution samples with different N2 ratio for each series of CH4/H2 composition were prepared. Prepared samples were analysed by SEM, optical interferometry, Raman spectroscopy (λ=325) and Hall measurement.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0294269