Počet záznamů: 1  

Ovrstvení Si desek tlustou vrstvou rezistu a kontrola vrstvy

  1. 1.
    0478403 - UPT-D 2018 RIV CZ cze Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno
    Chlumská, Jana - Matějka, Milan - Kolařík, Vladimír
    Ovrstvení Si desek tlustou vrstvou rezistu a kontrola vrstvy.
    [Thick layer coating on Si wafers and the control of the layer.]
    Interní kód: APL-2017-02 ; 2017
    Technické parametry: Vrstvy rezistu se nanáší na křemíkové podložky průměru 4-6 palců. Nominální tloušťka vrstev je 10 mikronů. Technologie vyžaduje čistou laboratoř s třídou čistoty 1000 nebo lepší.
    Ekonomické parametry: Ověřená technologie realizovaná při řešení grantů, využívaná příjemcem při vývoji planárních mikrostruktur v rámci projektu FV10618 a v rámci smluvního výzkumu. Kontakt: Ing. Miroslav Horáček, Ph.D., mih@isibrno.cz
    Grant CEP: GA MŠk(CZ) LO1212; GA MŠk ED0017/01/01
    Institucionální podpora: RVO:68081731
    Klíčová slova: e-beam lithography * PMMA rezist * thick layers * spin coating
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Obor OECD: Materials engineering

    Technologie pro ovrstvení křemíkových desek plátku s tlustou vrstvou rezistu zahrnuje pět technologických operací.

    Technology for the coating of silicon wafer with a thick layer of resist inscludes five technological operations.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0274516