0310707 - ÚFCH JH 2009 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Franc, Jiří - Nešpůrek, Stanislav
Photoconductive cells from screen-printed and sintered cadmium sulfoselenide.
[Fotorezistory ze sulfoselenidu kademnatého nanášeného sítotiskem a následně sintrovaného.]
Microelectronics International. Roč. 25, č. 3 (2008), s. 41-46. ISSN 1356-5362. E-ISSN 1758-812X
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503; CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: photoconductivity * detectors (circuits) * sintering * pastes
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Impakt faktor: 0.471, rok: 2008 ; AIS: 0.138, rok: 2008
DOI: https://doi.org/10.1108/13565360810889629

Purpose - Screen-printing is an appropriate technique for the manufacture of large-area position-sensitive detectors. We present simple methods of paste preparation and appropriate processing of thick films. Methodology - Active layers of photoconductive cells based on doped CdS0.32Se0.68 were prepared by screen-printing and sintering at 530 oC. A sulfide - selenide mixture or a mixed crystal material and propylene glycol was deposited as a paste. Propylene glycol served as the temporary paste binder. Cadmium chloride was used as a fluxing agent and a donor source. Copper(II) chloride was used as an acceptor source. The effect of the paste composition and sintering time on the resistance and slope of the resistance vs. illumination dependence of cells was investigated. These parameters were checked again after 8 years of cell storage.

Cíl: Sítotisk představuje vhodný způsob výroby velkoplošných senzorů detekujících polohu svazku dopadajícího světla. Cílem práce je představit jednoduchou metodu přípravy pasty a vhodný postup zpracování vrstvy. Postup: Aktivní vrstvy fotorezistorů tvořené dopovaným CdS0,32Se0,68 byly naneseny sítotiskem a následně sintrovány při 530 °C. Základem pasty byla směs sulfidu a selenidu nebo nebo materiál, který byl tuhým roztokem obou. Jako dočasné pojivo pasty byl použit propylenglykol (PG). Chlorid kademnatý byl použit jako tavidlo a zdroj donorů. Jako zdroj akceptorů byl přidán chlorid měďnatý. U vyrobených fotorezistorů byl sledován vliv složení pasty a doby sintrace na odpor a strmost závislosti odporu na osvětlení. Tyto parametry byly znovu přeměřeny po osmi letech skladování vzorků. Závěry Vlastnosti fotorezistorů jsou významně ovlivněny prodlevami mezi tiskem, sušením a sintrací vrstvy.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0162485