0134647 - FZU-D 20030547 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Cukr, Miroslav - Bartoš, Igor
GaAs(100)-(1X1) structure analysis from LEED intensities.
Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 53, č. 1 (2003), s. 49-54. ISSN 0011-4626.
[Symposium on Surface Physics /9./. Třešť, 02.09.2002-06.09.2002]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010108
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: LEED I-V analysis * GaAs(100)-(1X1) * MBE * TLEED * surface relaxation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.263, rok: 2003

GaAs(100)-(1X1) surface grown by molecular-beam epitaxy was studied by low energy electron diffraction (LEED).
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000694