Počet záznamů: 1  

Growth of Bi.sub.4./sub.Ge.sub.3./sub.O.sub.12./sub. single crystal by the micro-pulling-down method from bismuth rich composition

  1. 1.
    0133968 - FZU-D 20020256 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Shim, J. B. - Lee, J. H. - Yoshikawa, A. - Nikl, Martin - Yoon, D. H. - Fukuda, T.
    Growth of Bi4Ge3O12 single crystal by the micro-pulling-down method from bismuth rich composition.
    [Příprava monokrystalu Bi4Ge3O12 metodou “micro-pulling down” z taveniny s přebytkem bismutu.]
    Journal of Crystal Growth. Roč. 243, - (2002), s. 157-163. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA MŠMT ME 519
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: rich composition * micro-pulling-down method * bismuth germanate
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.529, rok: 2002

    In this study, BGO single crystal fibrs were successfully grown by micro-pulling-down method with resistance heating system. Considering the volatilization of bismuth, we grew fibers from two different Bi2O3 enriched composition. For the composition of Bi2O3 2.1 molar ratio, the best single crystal fibers were obtained for pulling-down rate equal to 0.08 mm/min.

    BGO je známý scintilační material. V této práci byl monokrystal BGO úspěšně připraven metodou “micro-pulling down” s odporovým systémem ohřevu. Vzhledem k volatilitě bismutu byl kystal pěstován s taveniny s přebytkem Bi2O3 (2.05 mol% Bi2O3–3mol% GeO2 and 2.1 mol% Bi2O3–3mol% GeO2). Vypěstované krystaly byly transparentní a téměř bezbarvé. BYl stanoven rozdělovací koeficient Bi a Ge
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031915

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.