- Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at hi…
Počet záznamů: 1  

Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures

  1. 1.
    0105875 - URE-Y 20040040 RIV FR eng J - Journal Article
    Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Hlídek, P.
    Study of indium phosphide wafers treated by long time annealing at high temperatures.
    [Studium destiček fosfidu inditého upravených dlouhodobým žíháním při vysokých teplotách.]
    European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 27, 1/3 (2004), s. 197-200. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050.
    [DRIP /10./. Batz-sur-Mer, 29.09.2003-02.10.2003]
    R&D Projects: GA AV ČR IBS2067354
    Institutional research plan: CEZ:AV0Z2067918
    Keywords : Hall effect * deep levels * light absorption
    Subject RIV: JB - Sensors, Measurment, Regulation
    Impact factor: 0.745, year: 2004
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0013063
     
Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.