Počet záznamů: 1  

Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by THz emission spectroscopy

  1. 1.
    0101805 - FZU-D 20040482 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Němec, Hynek - Kadlec, Filip - Kužel, Petr - Khazan, M. - Schnüll, S. - Wilke, I.
    Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by THz emission spectroscopy.
    [Dynamika nositelů v GaAs pěstovaném za nízkých teplot studovaná pomocí THz emisní spektroskopie.]
    Proceegings of International Meeting on Infrared and Millimeter Waves /26./. Toulouse: LNCMP, 2003, s. 3-61 - 3-64. 3. ISBN 2-87649-035-8.
    [International Meeting on Infrared and Millimeter Waves /26./. Toulouse (FR), 10.09.2001-14.09.2001]
    Grant CEP: GA MŠk LN00A032
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: terahertz spectroscopy * free carriers
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    Low-temperature grown GaAs exhibits sub-ps carrier lifetimes. Both the carrier lifetime and the carrier mobility were determined for a series of samples grown at several temperatures

    Vrstvy GaAs pěstované za nízkých teplot vykazují subpikosekudovou dobu života nositelů. Pomocí THz emisní spektroskopie jsme určili pohyblivosti a doby života fotoexcitovaných nositelů pro sérii vzorků pěstovaných za různých teplot
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0009204

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.