0100334 - FZU-D 20040269 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Luterová, Kateřina - Švrček, Vladimír - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Ito, M. - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique.
[Tenké křemíkové vrstvy napařené při nízkých teplotách substrátu studované metodou povrchového fotonapětí.]
Thin Solid Films. 451-452, - (2004), s. 408-412. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GP202/01/D030; GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101; GA MŠMT ME 537
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: micro-crystalline Si * low-temperature deposition * surface photovoltage
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.647, rok: 2004

The application of the SPV technique revealed new phenomena of low-temperature .mu.c-Si:H growth (e.g. formation of a bottom barrier for deposition temperatures below 100^oC, presence of a defective layer for deposition temperatures 75-200^oC) without performing any additional mesurements

Užití metody SPV odhalilo nové charakteristiky nízkoteplotního růstu mikrokrystalického křemíku, jako např. vytvoření spodní bariéry při teplotách depozice pod 100^oC, přítomností defektní vrstvy pro teploty depozice 75-200^oC bez provádění jakýchkoli dalších měření
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007837