Počet záznamů: 1  

Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique

  1. 1.
    0100334 - FZU-D 20040269 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Luterová, Kateřina - Švrček, Vladimír - Mates, Tomáš - Ledinský, Martin - Ito, M. - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
    Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique.
    [Tenké křemíkové vrstvy napařené při nízkých teplotách substrátu studované metodou povrchového fotonapětí.]
    Thin Solid Films. 451-452, - (2004), s. 408-412. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
    Grant CEP: GA ČR GP202/01/D030; GA ČR GA202/03/0789; GA AV ČR IAA1010316; GA AV ČR IAB2949101; GA MŠk ME 537
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: micro-crystalline Si * low-temperature deposition * surface photovoltage
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.647, rok: 2004

    The application of the SPV technique revealed new phenomena of low-temperature .mu.c-Si:H growth (e.g. formation of a bottom barrier for deposition temperatures below 100oC, presence of a defective layer for deposition temperatures 75-200oC) without performing any additional mesurements

    Užití metody SPV odhalilo nové charakteristiky nízkoteplotního růstu mikrokrystalického křemíku, jako např. vytvoření spodní bariéry při teplotách depozice pod 100oC, přítomností defektní vrstvy pro teploty depozice 75-200oC bez provádění jakýchkoli dalších měření
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007837

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.