Počet záznamů: 1
A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface
- 1.
SYSNO ASEP 0471306 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV O - Ostatní Název A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
May, M.M. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Höhn, C. (DE)
Steinbach, G. (DE)
Stange, H. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Müller, A. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Brückner, S. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). Program and Abstracts. - Marburg : Philipps Universität Marburg, 2016
S. 94Poč.str. 1 s. Forma vydání Tištěná - P Akce International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016) Datum konání 31.05.2016 - 03.06.2016 Místo konání Marburg Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova GaP/Si ; MOVPE ; heterointerface Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace We study the preparation and atomi order of the buried GaP/Si(001) heterointerfaces in situ with RAS, XPS, and ab initio DFT. We demonstrate that preparation of almost single domain Si(001) substrate succeeds in suppressing anti-phase disorder in GaP epitaxial layers.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1