Počet záznamů: 1

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

  1. 1.
    0354206 - FZU-D 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Ciccarelli, C. - Park, B.G. - Ogawa, S. - Ferguson, A.J. - Wunderlich, Joerg
    Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor.
    Applied Physics Letters. Roč. 97, č. 8 (2010), 082106/1-082106/3 ISSN 0003-6951
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: MOSFET
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.820, rok: 2010

    We present a study of the magnetoresistance (MR) of a Si metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET) at the break-down regime when a magnetic field is applied perpendicular to the plane of the device.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0193257