Počet záznamů: 1

Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As from first principles

  1. 1.
    0337620 - FZU-D 2010 RIV UA eng J - Článek v odborném periodiku
    Goncharuk, Natalya - Kučera, Jan - Smrčka, Ludvík
    Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As from first principles.
    [Pre-edge XANES struktura Mn v (Ga,Mn)As vypočtená z prvních principů.]
    Chemistry of Metals and Alloys. Roč. 2, 1-2 (2009), s. 34-38 ISSN 1998-8079
    Grant CEP: GA MŠk LC510; GA AV ČR KAN400100652
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: (Ga,Mn)As magnetic semiconductor * X-ray absorption near-edge structure * substitutional * interstitial / * defects
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    http://www.chemetal-journal.org/

    The X-ray absorption near-edge structure (XANES) at the Mn K-edge in the (Ga,Mn)As magnetic semiconductor was simulated using the full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method including the core-hole effect. The calculations were performed in the supercell scheme for a substitutional and two tetrahedral interstitial Mn sites.

    Struktura pre-edge XANESů manganu v (Ga,Mn)As magnetickém polovodiči byla simulovana pomocí FLAPW metody se započtením core-hole efektu. Výpočty byly provedeny v supercelách se substitučním a dvěma tetrahedralními intersticiálními polohami atomů Mn.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181571