Počet záznamů: 1

Toward a low-voltage multiferroic transistor: magnetic (Ga,Mn)As under ferroelectric control

  1. 1.
    0337207 - FZU-D 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Riester, S.W.E. - Stolichnov, I. - Trodahl, H.J. - Setter, N. - Rushforth, A.W. - Edmonds, K. W. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L. - Jungwirth, Tomáš
    Toward a low-voltage multiferroic transistor: magnetic (Ga,Mn)As under ferroelectric control.
    [Multiferoický transistor ovládaný slabým elektrickým polem: Magnetický (Ga,Mn)As ovládaný feroelektrickou vrstvou.]
    Applied Physics Letters. Roč. 94, č. 6 (2009), 063504/1-063504/3 ISSN 0003-6951
    Grant CEP: GA MŠk LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
    GRANT EU: European Commission(XE) 214499 - NAMASTE; European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: Curie temperature * dielectric polarisation * erroelectric devices * ferroelectric materials * insulated gate field effect tran
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.554, rok: 2009
    http://link.aip.org/link/?APL/94/063504

    We have fabricated and studied experimentallz and theoretically a new type of a spintronic transistor with GaMnAs channel and ferroelectric gate electrode.

    Zkonstruovali jsme a experimentálně a teoreticky studovali nový typ spintronického transistoru GaMnAs vodivým kanálem a feroelektrickým hradlem.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181263