Počet záznamů: 1

Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs

  1. 1.
    0336403 - FZU-D 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Novák, Vít - Olejník, Kamil - Cukr, Miroslav
    Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs.
    [Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs.]
    Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134 ISSN 0022-0248
    Grant CEP: GA MŠk LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E001
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: GaMnAs * MBE * diluted magnetic semiconductors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.534, rok: 2009

    Dramatic increase of the substrate temperature during the epitaxial growth of GaMnAs has been observed and explained in terms of radiative heating via free carrier absorption.

    Dramatický nárust substrátové teploty pozorovaný behem epitaxního rustu GaMnAs byl vysvetlen na základe radiacní výmeny tepla, absorbovaného volnými nosici náboje.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180643