Počet záznamů: 1
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
- 1.0336403 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Novák, Vít - Olejník, Kamil - Cukr, Miroslav
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs.
[Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E001
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaMnAs * MBE * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.534, rok: 2009
Dramatic increase of the substrate temperature during the epitaxial growth of GaMnAs has been observed and explained in terms of radiative heating via free carrier absorption.
Dramatický nárust substrátové teploty pozorovaný behem epitaxního rustu GaMnAs byl vysvetlen na základe radiacní výmeny tepla, absorbovaného volnými nosici náboje.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180643
Počet záznamů: 1