Počet záznamů: 1

The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices

  1. 1.
    0335861 - FZU-D 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Rushforth, A.W. - Výborný, Karel - King, C.S. - Edmonds, K. W. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Wunderlich, J. - Irvine, A.C. - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Kovalev, A.A. - Sinova, J. - Jungwirth, Tomáš - Gallagher, B. L.
    The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices.
    [Příčiny a způsob ovládání AMR v součástkách z (Ga,Mn)As.]
    Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 321, č. 8 (2009), s. 1001-1008 ISSN 0304-8853
    Grant CEP: GA MŠk LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GA202/05/0575; GA ČR GA202/04/1519
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * anisotropic magnetoresistance
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.204, rok: 2009

    We present details of our experimental and theoretical study of the components of the anisotropic magnetoresistance (AMR) in (Ga,Mn)As. We develop experimental methods to yield directly the non-crystalline and crystalline AMR components which are then independently analyzed. Simple analytical model of the non-crystalline AMR is derived.

    Popisujeme experimentalni metody, ktere poskytuji primy pristup k jednotlivym slozkam AMR (krystalicke a nekrystalicke). Je odvozen jednoduchy analyticky model nekrystalicke AMR.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180215