Počet záznamů: 1

A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics

  1. 1.
    0331194 - FZU-D 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Boháček, P. - Huran, J. - Sekáčová, M.
    A new kind of quasi-ohmic metallization in semi-insulating GaAs: study of electrical characteristics.
    [Nový typ kvaziohmické metalizace v semiizolačním GaAs.]
    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 607, č. 1 (2009), 132-134 ISSN 0168-9002.
    [International Workshop on Radiation Imaging Detectors /10./. Helsinki, 29.06.2008-03.07.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
    Grant ostatní: SGAS(SK) 2/7170/27; APRD(SK) APVV-99-P06305; APRD(SK) APVV-0459-06
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: GaAs * semi-insulating * metal-semiconductor contact * Schottky barrier * work function
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.317, rok: 2009

    Using low work function metals (In, Gd, Mg) quasi-ohmic non-alloyed contacts to SI-GaAs radiation detectors have been fabricated and their I-V characteristic have been measured. Unusual transport properties of these contacts are discussed.

    Na SI-GaAs detektorech záření byly připraveny za použití kovů s nízkou výstupní prací (In, Gd, Mg) kvaziohmické neslévané kontakty a byly změřeny jejich voltampérové charakteristiky. Jsou diskutovány neobvyklé transportní vlastnosti těchto kontaktů.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176781