Počet záznamů: 1

Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures

  1. 1.
    0328675 - FZU-D 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Výborný, Zdeněk - Leys, M.R. - Boeykens, S.
    Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures.
    [Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC.]
    Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8 ISSN 0021-8979
    Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: nitrides * silicon carbide * deep levels * DLTS
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.072, rok: 2009

    Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were carried out on GaN/AlGaN/SiC heterostructures prepared by MOVPE. The deep level parameters were correlated with the SiC substrate orientation and the AlGaN layer composition.

    Transientní spektroskopie hlubokých hladin (DLTS) byla použita ke studiu heterostruktur GaN/AlGaN/SiC připravených epitaxním růstem z organokovů. Byl zkoumán vliv orientace substrátu SiC a složení vrstvy AlGaN na parametry hlubokých hladin.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0174934