Počet záznamů: 1

Effect of Bundling on the Tangential Displacement Mode in the Raman Spectra of Semiconducting Single Walled Carbon Nanotubes during Electrochemical Charging

  1. 1.
    0322814 - UFCH-W 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Kalbáč, Martin - Kavan, Ladislav - Dunsch, L.
    Effect of Bundling on the Tangential Displacement Mode in the Raman Spectra of Semiconducting Single Walled Carbon Nanotubes during Electrochemical Charging.
    [Vliv shlukování polovodivých jednostěnných nanotub na tangenciální mod v Ramanských spektrech.]
    Journal of Physical Chemistry C. Roč. 113, č. 4 (2009), s. 1340-1345 ISSN 1932-7447
    Grant CEP: GA ČR GC203/07/J067; GA MŠk LC510; GA AV ČR IAA400400804; GA AV ČR KAN200100801; GA AV ČR IAA400400911
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40400503
    Klíčová slova: spectroelectrochemistry * fullerene * renormalization
    Kód oboru RIV: CG - Elektrochemie
    Impakt faktor: 4.224, rok: 2009

    A detailed in situ Raman spectroelectrochemical analysis of semiconducting single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) in bundles is presented. Special attention has been given to the development of the frequency and intensity of the tangential displacement mode (TG) during electrochemical charging. For negative charging, the frequency of the G+ component of the TG mode increased, decreased, and remained unchanged for the 2.18, 2.54, and 2.41 eV laser photon energies, respectively. For positive charging, only an increase in the frequency of the G+ component has been observed. The maximum frequency upshift (at the applied electrochemical potential of 1.5 V vs Ag-pseudoreference) increased for decreasing photon energies in the series from 2.54 to 2.41 and 2.18 eV. The frequency of the G+ component of the TG mode changes significantly at potentials of approximately 0.8-1.0 and -1.2 V for positive and negative doping, respectively.

    V práci předkládáme detailní analýzu chování shluků polovodivých jednostěnných uhlíkových nanotub (SWCNT) pomocí in situ Ramanské spektroelektrochemie. Zvláštní pozornost byla věnována vývoji frekvence a intensity tangenciálního modu (TG) v průběhu elektrochemického dopování.V případě negativního nabíjení se frekvence G+ komponenty TG modu snižovala, zvyšovala a neměnila v případě postupných excitací lasery o energii 2.18 eV, 2.54 eV a 2.41 eV. V případě pozitivního nabíjení byl pozorován pouze posun G+ modu k vyšším frekvencím. Maximální frekvenční posun (pozorovaný při potenciálu 1.5 V vs. Ag-pseudorefernce) se zvyšoval, pokud se snižovala energie excitačních fotonů a to v řadě od 2.54 k 2.41 a 2.18 eV. Frekvence G+ komponenty TG modu se významně měnila až v oblasti potenciálů 0.8-1.0 a -1.2 V v případě positivního a negativního dopování.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0170967