Výsledky vyhledávání

Nalezeno záznamů: 12  
Váš dotaz: Předmět (klíč.slova) = "strain reducing layer"
    1.
    0474047 - FZÚ 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
    Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 59-63. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: MOVPE * quantum dot * strain reducing layer * InAs * GaAsSb * InGaAs
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 1.742, rok: 2017
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0271146
     
     
    2.
    0469569 - FZÚ 2017 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
    GaAsSb/InAs QDs structures for advanced telecom lasers.
    ASDAM 2016. Danvers: IEEE, 2016 - (Haščík, Š.; Dzuba, J.; Vanko, G.), s. 57-60. ISBN 978-150903083-5.
    [International conference on advanced semiconductor devices and microsystems /11./. Smolenice (SK), 13.11.2016-16.11.2016]
    Grant CEP: GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs/GaAs quantum dots * MOVPE * strain reducing layer * long emission wavelength * telecom lasers
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0267401
     
     
    3.
    0466110 - FZÚ 2017 US eng A - Abstrakt
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard
    Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications.
    ICMOVPE XVIII. Program and Exhibit Guide. Warrendale: MRS - Conference Services, 2016. s. 75
    Grant CEP: GA MŠMT LO1603
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: InAs * GaAsSb * InGaAs * quantum dot * strain reducing layer * MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264510
     
     
    4.
    0464517 - FZÚ 2017 CZ eng D - Dizertace
    Zíková, Markéta
    Band structure engineering of InAs/GaAs quantum dots.
    České vysoké učení technické v Praze, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská. Obhájeno: Praha. - Praha: ČVUT, 2016. 108 s.
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: semiconductor * quantum dot * strain reducing layer * MOVPE * InAs * GaAs * InGaAs * GaAsSb
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263399
     
     
    5.
    0447827 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Václav - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
    Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 414, č. 172 (2015), s. 172-176. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs Quantum dots * GaAsSb Strain reducing layer * solar cells
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249601
     
     
    6.
    0433688 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Zíková, Markéta - Oswald, Jiří - Komninou, Ph. - Hulicius, Eduard
    Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy.
    International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 14-14
    [International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P; GA ČR GA13-15286S
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * reflectance anisotropy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237854
     
     
    7.
    0433687 - FZÚ 2015 CH eng A - Abstrakt
    Vyskočil, Jan - Gladkov, Petar - Petříček, Otto - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří
    Growth and properties of AIII BV QD structures for intermediate band solar cells.
    International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. Lausanne: École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 2014 - (Kapon, E.; Rudra, A.). s. 7-7
    [International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /17./. 13.07.2014-18.07.2014, Lausanne]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GP14-21285P
    Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: metalorganic vapor phase epitaxy * InAs/GaAs quantum dots * GaAsSb strain reducing layer * solar cells
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237896
     
     
    8.
    0429421 - FZÚ 2015 RIV cze P - Patentový dokument
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří
    GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách.
    [Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots.]
    2013. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 17.04.2013. Číslo patentu: 303855
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: quantum dots * InAs * GaAs * GaAsSb * strain reducing layer
    Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery
    http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0234536
     
     
    9.
    0399637 - FZÚ 2014 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
    Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kubištová, Jana - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J. - Nikitis, F.
    GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots.
    Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 - (Aubrecht, J.; Kalvoda, L.; Kučeráková, M.; Štěpánková, A.), s. 46-50. ISBN 978-80-01-05344-7.
    [Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Krkonoše (CZ), 28.06.2013-02.07.2013]
    Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT 7AMB12GR034; GA MŠMT(CZ) LM2011026
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: quantum dot * strain reducing layer * InAs * GaAsSb
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0226876
     
     
    10.
    0392283 - FZÚ 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Zíková, Markéta - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
    Graded GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 370, MAY (2013), s. 303-306. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: band alignment * photoluminescence * strain reducing layer * quantum dot * MOVPE * InAs/GaAs
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.693, rok: 2013
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0221191
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše