Výsledky vyhledávání
- 1.0387641 - ÚFE 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Vaniš, Jan - Piksová, K.
Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth.
Physica Status Solidi C. Roč. 9, č. 7 (2012), s. 1531-1533. ISSN 1862-6351.
[16th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI). Stockholm, 19.06.2011-23.06.2011]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor technology * porous semiconductors * epitaxial growth
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220314 - 2.0376501 - ÚFE 2013 CZ eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Nohavica, Dušan - Jarchovský, Zdeněk - Piksová, K.
Electron Microscopy of Porous Semiconductors.
Mikroskopie 2011. Praha: Československá mikroskopická společnost, 2011 - (Frank, L.; Hozák, P.). s. 44-44
[Mikroskopie 2011. 17.02.2011-18.02.2011, Nové Město na Moravě]
Grant CEP: GA ČR GAP108/10/0253
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: electron microscopy * porous semiconductors * semiconductor technology
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0208882 - 3.0350480 - ÚFE 2011 HR eng M - Část monografie knihy
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of rare-earth elements in the technology of III-V semiconductors prepared by liquid phase epitaxy.
Semiconductor Technologies. 1. Vukovar: InTech, 2010 - (Grym, J.), s. 295-320. ISBN 978-953-307-080-3
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0190478 - 4.0350456 - ÚFE 2011 HR eng B - Monografie kniha jako celek
Grym, Jan
Semiconductor Technologies.
1. - Vukovar: In-Tech, 2010. 462 s. ISBN 978-953-307-080-3
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * semiconductor materials * semiconductor devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0190460 - 5.0346230 - ÚFE 2011 ES eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Yatskiv, Roman - Fojtík, A.
Electrophoretic deposition of palladium nanoparticles on InP for hydrogen sensors.
Trends in Nanotechnology (TNT2009). Barcelona: Universidad Autonoma de Barcelona, 2009, s. 12-12.
[Trends in Nanotechnology 2009 (TNT2009). Barcelona (ES), 07.09.2009-11.09.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA AV ČR(CZ) KAN401220801
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * Rare-earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005966 - 6.0346227 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
InGaAsP/InP infrared light emitting diodes prepared by liquid phase epitaxy from rare-earth treated melt.
XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2009, s. 129-129.
[XXXVIII International School and Conference on the Physics of Semiconductors, ”Jaszowiec” 2009. Krynica-Zdroj (PL), 19.06.2009-26.06.2009]
Grant CEP: GA ČR GA102/09/1037; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * Rare-earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187303 - 7.0346036 - ÚFE 2011 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE Growth of III-V Semiconductors from rare-earth Treated Melts.
Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education. Praha: Czechoslovak association for crystal growth, 2008 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 16-17. ISBN 978-80-254-0864-3.
[18. Development of Materials Science in Research and Education. Hnanice (CZ), 02.09.2008-05.09.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187165 - 8.0346035 - ÚFE 2011 PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for the radiation detection structures.
EXMATEC 2008. Lodž: IEEE, 2008 - (Ciupa, E.; Sibinski, M.; Podgorski, J.; Bielska, S.), s. 171-172. ISBN 978-83-915220-1-1.
[9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Lodž (PL), 01.06.2008-04.06.2008]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187164 - 9.0346031 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of rare-earth elements in the design of radiation detectors and electroluminescent sources.
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), s. 107-110. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[The Seventh International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187162 - 10.0341490 - ÚFE 2011 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Lorinčík, Jan
Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers.
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Roč. 10, č. 12 (2008), s. 3261-3264. ISSN 1454-4164. E-ISSN 1841-7132
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * InP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.577, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005810