Výsledky vyhledávání
- 1.0308014 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Vaniš, Jan - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard
Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure.
[Balistická elektronová emisní spektroskopie/mikroskopie samouspořádaných InAs kvantových teček různých velikostí v GaAs/AlGaAs heterostruktuře.]
Applied Physics Letters. Roč. 92, č. 12 (2008), 012101.1-012101.3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10750506; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.726, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160617 - 2.0303038 - URE-Y 970055 CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Vaniš, Jan - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomáš
Měření profilu koncentrace/složení na polovodičových nanovrstvách kontaktní metodou. (Measurement of concentration/composition profiles on semiconductor nanostructures with contract mothod).
Ostrava: VŠB Technická univerzita, 1997. In: Dvanáctá konference Českých a slovenských fyziků. Sborník příspěvků. - (Lesňák, M.; Luňáček, J.; Pištora, J.), s. 479-481
[Konference českých a slovenských fyziků /12./. Ostrava (CZ), 02.09.1996-06.09.1996]
Grant CEP: GA ČR GA202/94/1056
Klíčová slova: doping profiles * semiconductor heterojunctions
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113326 - 3.0303020 - URE-Y 970045 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Vaniš, Jan - Chow, D. H. - Schulman, J. N. - Karamazov, Simeon - Cukr, Miroslav - Zich, P. - Král, J. - McGill, T. C.
Probing of InAs/AlSb double barrier heterostructures by ballistic electron emission spectroscopy.
Applied Physics Letters. Roč. 70, č. 26 (1997), s. 3588-3590. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/94/1056
Klíčová slova: spectroscopy * semiconductor heterojunctions * semiconductor devices
Impakt faktor: 3.033, rok: 1997
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113308 - 4.0302798 - URE-Y 950118 CZ eng V - Výzkumná zpráva
Walachová, Jarmila
Influence of Sample Preparation on Beem Spectroscopic Measurements of Tunnelling In As/Al Sb Double Barrier Heterostructures.
Prague: IREE AS CR, 1995. 18 s. Výzkumná zpráva., Z 1998/A.
Grant CEP: GA ČR 202/94/1056
Klíčová slova: semiconductor devices * semiconductor heterojunctions * spectroscopy
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113145 - 5.0302746 - URE-Y 950065 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Walachová, Jarmila - Chow, D. H. - Košut, Jaroslav - Král, J. - Karamazov, S. - Zelinka, Jiří - Vaniš, Jan - Zich, Pavel - McGill, T. C.
Probing of Double Barrier In AS/Al Sb Tunneling Structure with BEEM.
Bad Honnef: Physikzentrum, 1995. In: STM-Related Spectroscopies of Semiconductor Interfaces (Abstracts)., s. -
[WE-Heraeus-Seminar /148./. Bad Honnef (DE), 30.08.1995-01.09.1995]
Grant CEP: GA ČR 202/94/1056
Klíčová slova: semiconductor devices * semiconductor heterojunctions * spectroscopy
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113093 - 6.0302711 - URE-Y 950029 CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Šrobár, Fedor
Causal Relationships in the Optically Bistable Device with AlGaAs/GaAs Heterostructure Modulator.
Prague: European Optical Society, 1995. Annual Meeting Digest Series., 2B. ISSN 1167-5357. In: Photonics'95., s. 614-617
[Photonics'95. Prague (CZ), 23.08.1995-25.08.1995]
Grant CEP: GA ČR 102/93/0642
Klíčová slova: optical bistability * semiconductor heterojunctions * nonlinear optics
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113057 - 7.0105892 - URE-Y 20040171 FR eng A - Abstrakt
Vaniš, Jan - Chow, D. H. - Šroubek, Filip - McGill, T. C. M. - Walachová, Jarmila
Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by reverse ballistic electron emission spectroscoipy with InAs as base electrode.
7th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2004. [Montpellier]: [GES], 2004. s. 164.
[EXMATEC 2004 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /7./. 01.06.2004-04.06.2004, Montpellier]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: scanning tunelling microscopy * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013080 - 8.0095242 - ÚFE 2008 US eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vaniš, Jan - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Vyskočil, J. - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures.
[Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
2007 Proceedings of the 15th International Conference on Crystal Growth held in conjuction with the 13th International Conference on Vapour Growth and Epitaxy and the 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy and 13th Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. [Salt Lake City]: OMNI Press, 2007. s. 636--.
[ICCG /15./ with the ICVGE /13./ and OMVPE /13./. 12.08.2007-17.08.2007, Salt Lake City]
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0154878 - 9.0095013 - ÚFE 2008 RIV CY eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vaniš, Jan - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Henini, M. - Šroubek, Filip - Walachová, Jarmila
Study of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy.
[Studium InAs kvantových teček v GaAs/AlGaAs heterostruktuře pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie.]
Technical Digest. QDOS 2007 - Quantum Dot Optoelectronics Symposium. [Nicosia]: [University of Cyprus], 2007 - (Ellinas, G.; Iezekiel, S.), --- ISBN N.
[QDOS 2007 - Quantum Dot Optoelectronics Symposium. Limassol (CY), 14.11.2007-16.11.2007]
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10750506
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0154695 - 10.0084538 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Vaniš, Jan - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard
Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy.
[Studium InAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie.]
Applied Physics Letters. Roč. 91, č. 4 (2007), 042110.1-042110.3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10750506; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.596, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0147275