Výsledky vyhledávání
- 1.0573745 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kočí, Michal - Izsák, T. - Vanko, G. - Sojková, M. - Hrdá, J. - Szabó, Ondrej - Husák, M. - Végsö, K. - Varga, Marián - Kromka, Alexander
Improved gas sensing capabilities of MoS2/diamond heterostructures at room temperature.
ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 28 (2023), s. 33191-34322. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
Grant CEP: GA MŠMT LM2023051; GA ČR(CZ) GF23-04322L
Grant ostatní: AV ČR(CZ) SAV-23-11
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: gas sensors * H-terminated diamond * MoS2 * MoS2/H-NCD heterostructure * room temperature * P-N junction * sensitivity * gas interaction model
Obor OECD: Materials engineering
Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0344127Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0573745.pdf 1 5.3 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0324990 - FZÚ 2009 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Owen, M.H.S. - Wunderlich, J. - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Zemen, Jan - Výborný, Karel - Ogawa, S. - Irvine, A.C. - Ferguson, A.J. - Sirringhaus, H. - Jungwirth, Tomáš
Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction.
[Feromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu.]
New Journal of Physics. Roč. 11, č. 2 (2009), 023008/1-023008/9. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GEFON/06/E001
GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * p-n junction * field-effect transistor
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.312, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172558 - 3.0320707 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef
Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique.
[Interpretace DLTS spekter p-n přechodů v křemíku připravených difúzní technologií.]
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 155 - 158. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon * p-n junction * deep levels * DLTS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169500