Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0577701 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Zakutanská, K. - Miakota, D. - Lacková, V. - Jeng, S.-C. - Weglowska, D. - Agresti, F. - Jarošová, Markéta - Kopčanský, P. - Tomašovičová, N.
    Effect of temperature on memory effect in nematic phase of liquid crystal and their composites with aerosil and geothite nanoparticles.
    Journal of Molecular Liquids. Roč. 391, Dec (2023), č. článku 123357. ISSN 0167-7322. E-ISSN 1873-3166
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: liquid crystals * aerosil nanoparticles * magnetic nanoparticles * non-volatile memory
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 6, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0346823
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0577701.pdf01.5 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  2. 2.
    0506221 - ÚMCH 2020 CZ eng A - Abstrakt
    Panthi, Yadu Ram - Pfleger, Jiří - Paruzel, Bartosz
    Resistive random access memory based on conjugated polymers molecularly doped with organic acceptors.
    Career in Polymers XI, Book of Abstracts. Prague: Institute of Macromolecular Chemistry, Czech Academy of Sciences, 2019. L-11. ISBN 978-80-85009-94-1.
    [Workshop “Career in Polymers XI”. 28.06.2019-29.06.2019, Prague]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA17-03984S; GA TA ČR(CZ) TE01020022
    Institucionální podpora: RVO:61389013
    Klíčová slova: non-volatile memory * conjugated polymers * organic acceptors
    Obor OECD: Polymer science
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0297538
     
     
  3. 3.
    0438565 - ÚTIA 2015 RIV CZ eng L - Prototyp, funkční vzorek
    Kadlec, Jiří
    UTIA EdkDSP Demonstrator in Xilinx 3S700AN FPGA with Embedded FLASH and NV RAM.
    Interní kód: Utia_EdkDSP_145_S3AN ; 2014
    Technické parametry: Vnitřní paměť obvodu eFLASH 8 Mbit; spotřeba obvodu 240 mA při napětí 1,2 V; výkon 92 MFLOP pro LMS filter s 250 koeficienty. Ethernet 10/100 Mb, grafika XGA 1024x768p70 Hz, TFTP file server, HTTP server, sada demo příkladů v SW.
    Ekonomické parametry: Obvod s vestavěnou pamětí eFLASH dovoluje inicializaci logiky obvodu a inicializaci NV RAM po zapnutí. Demonstrátor na tomto obvodu ověřuje funkce akcelerátorů výpočtu v plovoucí řádové čárce navržených v prostředí ISE 14.5 na prototypové desce 3S700AN.
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) 7H14006
    Klíčová slova: embedded eFLASH * NV RAM non-volatile memory * programmable device
    Kód oboru RIV: JC - Počítačový hardware a software
    http://sp.utia.cz/index.php?ids=results&id=Utia_EdkDSP_145_S3AN
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242026
     
     


  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.