Výsledky vyhledávání
- 1.0585018 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cecchi, S. - Momand, J. - Dragoni, D. - Abou El Kheir, O. - Fagiani, F. - Kriegner, Dominik - Rinaldi, C. - Arciprete, F. - Holý, V. - Kooi, B.J. - Bernasconi, M. - Calarco, R.
Thick does the trick: genesis of ferroelectricity in 2D GeTe-rich (GeTe)m(Sb2Te3)n lamellae.
Advanced Science. Roč. 11, č. 1 (2024), č. článku 2304785. E-ISSN 2198-3844
Grant CEP: GA ČR(CZ) GM22-22000M
Grant ostatní: AV ČR(CZ) LQ100102201
Program: Prémie Lumina quaeruntur
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: 2D ferroelectrics * van der Waals * molecular beam epitaxy * phase-change materials * density functional theory calculations
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 15.1, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352787Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0585018.pdf 0 5.3 MB CC Licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0396578 - ÚFE 2014 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Lotsari, A. - Das, A. - Kehagias, Th. - Kotsar, Y. - Monroy, E. - Karakostas, Th. - Gladkov, Petar - Komninou, Ph. - Dimitrakopulos, G.P.
Morphology and origin of V-defects in semipolar (11-22) InGaN.
Journal of Crystal Growth. Roč. 339, č. 1 (2012), s. 1-7. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Crystal structure * Molecular beam epitaxy * Semiconducting indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.552, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0224367 - 3.0388044 - FZÚ 2013 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Wu, H.C. - Liao, Z.M. - Sofin, R.G.S. - Feng, G. - Ma, X.M. - Shick, Alexander - Mryasov, O. N. - Shvets, I.V.
Mn2Au: Body-centered-tetragonal bimetallic antiferromagnets grown by molecular beam epitataxy.
Advanced Materials. Roč. 24, č. 47 (2012), s. 6374-6379. ISSN 0935-9648. E-ISSN 1521-4095
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
Klíčová slova: antiferromagnets * antiferromagnetic spintronics * exchange bias * molecular beam epitaxy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 14.829, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216873 - 4.0377076 - FZÚ 2013 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Máca, František - Mašek, Jan - Stelmakhovych, O. - Martí, X. - Reichlová, Helena - Uhlířová, K. - Beran, Přemysl - Wadley, P. - Novák, Vít - Jungwirth, Tomáš
Room-temperature antiferromagnetism in CuMnAs.
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 324, č. 8 (2012), s. 1606-1612. ISSN 0304-8853. E-ISSN 1873-4766
Grant CEP: GA MŠMT LC510
GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 268066 - 0MSPIN
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520; CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: antiferromagnetic semiconductors * spintronics * molecular beam epitaxy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.826, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0209330 - 5.0366947 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Novák, Vít - Cukr, Miroslav - Šobáň, Zbyněk - Jungwirth, Tomáš - Martí, X. - Holý, V. - Horodyská, P. - Němec, P.
Molecular beam epitaxy of LiMnAs.
Journal of Crystal Growth. Roč. 323, č. 1 (2011), s. 348-350. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA MŠMT(CZ) 7E08087
GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: crystal structure * molecular beam epitaxy * lithium compounds * magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201763 - 6.0364501 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Jungwirth, Tomáš - Novák, Vít - Martí, X. - Cukr, Miroslav - Máca, František - Shick, Alexander - Mašek, Jan - Horodyská, P. - Němec, P. - Holý, V. - Zemek, Josef - Kužel, Petr - Němec, I. - Gallagher, B. L. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Wunderlich, Joerg
Demonstration of molecular beam epitaxy and a semiconducting band structure for I-Mn-V compounds.
Physical Review. B. Roč. 83, č. 3 (2011), , , "035321-1"-"035321-6". ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA MŠMT(CZ) 7E08087
GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE; European Commission(XE) 268066 - 0MSPIN
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: antiferromagnetic semiconductors * spintronics * molecular beam epitaxy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.691, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0199971 - 7.0340742 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Jiříček, Petr - Cukr, Miroslav - Bartoš, Igor - Sadowski, J.
Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface.
Surface Science. Roč. 603, č. 20 (2009), s. 3088-3093. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0601; GA AV ČR IAA100100628
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: gallium arsenide * angle resolved photoemission * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy * molecular beam epitaxy * surface core level shift
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.798, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0183924 - 8.0338241 - FZÚ 2010 RIV FR eng A - Abstrakt
Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Braun, W.
Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions.
[Bravais mřižkova rozmanitost III-V polovodičů: srovnávací studium GaSb(001) a GaAs(001) povrchových rekonstrucke.]
13th International Conference on the Applications of Density Functional Theory in Chemistry and Physics. Lyon: -, 2009. s. 234.
[International Conference on the Application of the Density Functional Theory /13./. 31.08.2009-04.09.2009, Lyon]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100628
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaSb(001) * GaAs(001) * DFT * molecular beam epitaxy (MBE)
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0182073 - 9.0337274 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Olejník, Kamil - Novák, Vít - Cukr, Miroslav - Mašek, Jan - Jungwirth, Tomáš
Etching enhanced annealing of GaMnAs layers.
[Zvýšení účinnosti žíhaní GaMnAs pomocí leptání.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2151-2154. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E001
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: surface processes * molecular beam epitaxy * magnetic materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.534, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181304 - 10.0337230 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Braun, W.
Stoichiometry and Bravais lattice diversity: an ab initio study of the GaSb(001) surface.
[Stechiometrie a Bravais mřižková rozmanitost: ab initio studium GaSb(001) povrchu.]
Physical Review. B. Roč. 79, č. 23 (2009), 235330/1-235330/7. ISSN 1098-0121
Grant ostatní: GRF(DE) GZ:436 TSE 113/62/0-1
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaSb(001) surface * molecular beam epitaxy (MBE) * DFT
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.475, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0181284