Výsledky vyhledávání
- 1.0373041 - FZÚ 2012 US eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Hazdra, P. - Caha, O. - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
The 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. 2009 Abstract Book. Warren: American Association for Crystal Growth, 2009. s. 68. ISBN N.
[US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy /14./. 09.08.2009-14.08.2009, Lake Geneva, Wisconsin]
Grant CEP: GA ČR GA202/09/0676
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006873 - 2.0371701 - FZÚ 2012 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Vaniš, Jan - Pangrác, Jiří - Walachová, Jarmila - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice
Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES.
Zborník abstraktov. 17. konferencia slovenských a českých fyzikov. Zvolen: Slovenská fyzikálna spoločnosť, 2011. s. 1-2.
[Konferencia slovenských a českých fyzikov /17./. 05.09.2011-08.09.2011, Žilina]
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * InAs/GaAs * low pressure MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205162 - 3.0371379 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard
Influence of strain reducing layers on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures.
Journal of Crystal Growth. Roč. 315, č. 1 (2011), 110-113. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * electroluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0204912 - 4.0359526 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi - Caha, O. - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime.
Journal of Crystal Growth. Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.726, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0197302 - 5.0342440 - FZÚ 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Kuldová, Karla - Šimeček, Tomislav - Hazdra, P. - Caha, O.
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
Journal of Crystal Growth. Roč. 312, č. 8 (2010), 1383-1387. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676; GA MŠMT LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.737, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0185175