Výsledky vyhledávání
- 1.0563166 - ÚFM 2024 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Kloenne, Z. T. - Couzinié, J. P. - Heczko, M. - Gröger, Roman - Viswanathan, G. B. - Clark, W. A. T. - Fraser, H. L.
On the bcc/B2 interface structure in a refractory high entropy alloy.
Scripta Materialia. Roč. 223, JAN (2023), č. článku 115071. ISSN 1359-6462. E-ISSN 1872-8456
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: Refractory high-entropy alloy * Interface structure * Misfit dislocation * Nye tensor * Phase transformation
Obor OECD: Materials engineering
Impakt faktor: 6, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1359646222005668?via%3Dihub
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0341692 - 2.0466113 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Supplie, O. - Susi, T. - May, M.M. - Hannappel, T.
Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces.
Physical Review B. Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9, č. článku 155309. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA ČR GF16-34856L
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interface structure * GaP/Si heterointerface * interface electronic states * core-level shifts
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.836, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264517 - 3.0308224 - ÚPT 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Krčmář, J. - Holý, V. - Horák, L. - Metzger, T. H. - Sobota, Jaroslav
Standing-wave effects in grazing-incidence x-ray diffraction from polycrystalline multilayers.
[Rentgenová difrakce stojaté vlny na polykrystalických multivrstvách.]
Journal of Applied Physics. Roč. 103, č. 3 (2008), 033504:1-7. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: acoustic wave interference * carbon * crystallites * interface structure * nickel * optical multilayers * superlattices * X-ray diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.201, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160775 - 4.0303457 - URE-Y 990039 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan - Paloura, E.
On the nature of the traps related with the In0,5Ga0,5P/GaAs interface.
Prague: Institute of Physics AS CR, 1999. ISBN 80-238-3551-3. In: EW MOVPE VIII. Proceedings of the 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques. - (Gregor, V.), s. 143-146
[EW MOVPE /8./. Prague (CZ), 08.06.1999-11.06.1999]
Grant CEP: GA AV ČR IAA2067901
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: epitaxial growth * interface structure * interface states * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113672 - 5.0134499 - FZU-D 20030399 RIV FR eng J - Článek v odborném periodiku
Tarasenko, Alexander - Jastrabík, Lubomír - Tarasenko A., Nataliya
Effect of roughness on the elastic surface wave propagation.
European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 24, - (2003), s. 3-12. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050
Grant CEP: GA AV ČR IBS1010353; GA MŠMT LN00A015
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: interface structure and roughness * acoustical properties * mechanical properties
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.699, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032399 - 6.0043973 - ÚFE 2007 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Delimitis, A. - Gladkov, Petar - Komninou, Ph. - Kehagias, Th. - Arvanitidis, J. - Ves, S. - Katsikini, M. - Dimakis, E. - Georgakilas, A.
Structural and optical characterization of thick InN epitaxial layers grown with a single or two step growth process on GaN(0001).
[Strukturní a optická charakterizace tlustých epitaxních vrstev InN vypěstovaných na povrchu GaN(0001) pomocí jednostupňového nebo dvoustupňového procesu růstu.]
Physica Status Solidi A. Roč. 203, č. 1 (2006), s. 162-166. ISSN 0031-8965
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010601; GA MŠMT ME 697
Grant ostatní: PARSEM(XE) MRTN-CT-2004-005583
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor materials * interface structure * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.221, rok: 2006
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0136856