Výsledky vyhledávání
- 1.0533536 - FZÚ 2021 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Carrad, D.J. - Bjergfelt, M. - Kanne, T. - Aagesen, M. - Křížek, Filip - Fiordaliso, E.M. - Johnson, E. - Nygard, J. - Jespersen, T.S.
Shadow epitaxy for in situ growth of generic semiconductor/superconductor hybrids.
Advanced Materials. Roč. 32, č. 23 (2020), s. 1-9, č. článku 1908411. ISSN 0935-9648. E-ISSN 1521-4095
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nanoscale * epitaxial indium arsenide/aluminum heterostructures * InAs/Al hybrids
Obor OECD: Nano-materials (production and properties)
Impakt faktor: 30.849, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/adma.201908411
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311908 - 2.0439648 - FZÚ 2015 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pokorný, M. - Kozák, M. - Trojánek, F. - Pangrác, Jiří - Hospodková, Alice
Type-I InAs quantum dots covered by GaAsSb strain reducing layer.
Nanophotonic Materials XI. Bellingham: SPIE, 2014 - (Cabrini, S.; Lerondel, G.; Schwartzberg, A.; Mokari, T.), s. 916113. Proceedings of SPIE, 9161. ISBN 978-1-62841-188-1. ISSN 0277-786X.
[Conference on Nanophotonic Materials XI. San Diego, CA (US), 20.08.2014-21.08.2014]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: indium arsenide * quantum dots * gallium arsenide * luminescence * near infrared * telecommunications * upconversion
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242871 - 3.0330532 - FZÚ 2010 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs.
[Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin.]
Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. ISSN 0749-6036. E-ISSN 1096-3677
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA AV ČR IAA100100719
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.910, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0176305 - 4.0306889 - FZÚ 2008 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Atef, M. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance.
[Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí.]
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 147, - (2008), s. 175-178. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: optical properties * MOVPE * indium arsenide * gallium arsenide * quantum dots
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159792