Výsledky vyhledávání
- 1.0547617 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Paszuk, A. - Bartoš, Igor - Wilks, R.G. - Nandy, M. - Bombsch, J. - Hartmann, C. - Félix, R. - Ueda, S. - Gordeev, Ivan - Houdková, Jana - Kleinschmidt, P. - Machek, Pavel - Bär, M. - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
Band bending at heterovalent interfaces: hard X-ray photoelectron spectroscopy of GaP/Si(0 0 1) heterostructures.
Applied Surface Science. Roč. 565, Nov. (2021), č. článku 150514. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si(0 0 1) * heterointerface * HAXPES * MOVPE * interface core level shifts * band level alignment
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 7.392, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.150514
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323908 - 2.0471513 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Supplie, O. - Romanyuk, Olexandr - May, M.M. - Brückner, S. - Susi, T. - Paszuk, A. - Koppka, C. - Nägelein, A. - Steidl, M. - Zhao, W. - Dobrich, A. - Kleinschmidt, P. - Hannappel, T.
III/V-on-Si interfaces: optical in situ control, surface science and DFT.
31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors. Berlin: DGKK, 2016. s. 14-14.
[31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors. 08.12.2016-09.12.2016, Duisburg]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si * MOVPE * heterointerface
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268895 - 3.0471306 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Supplie, O. - May, M.M. - Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Höhn, C. - Steinbach, G. - Stange, H. - Nägelein, A. - Müller, A. - Kleinschmidt, P. - Brückner, S. - Hannappel, T.
A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface.
International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). Program and Abstracts. Marburg: Philipps Universität Marburg, 2016. s. 94.
[International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). 31.05.2016-03.06.2016, Marburg]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si * MOVPE * heterointerface
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268694 - 4.0471302 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Supplie, O. - Brückner, S. - May, M.M. - Kleinschmidt, P. - Nägelein, A. - Paszuk, A. - Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Hannappel, T.
GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ.
International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). Program and Abstracts. Marburg: Philipps Universität Marburg, 2016. s. 56.
[International Conference on Internal Interfaces (ICII-2016). 31.05.2016-03.06.2016, Marburg]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si * MOVPE * heterointerface
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268691 - 5.0471296 - FZÚ 2017 RIV DE eng A - Abstrakt
Supplie, O. - Brückner, S. - May, M.M. - Kleinschmidt, P. - Nägelein, A. - Paszuk, A. - Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Hannappel, T.
GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE.
GCCCG-1/DKT2016. Dresden: TU Dresden, 2016. s. 40.
[German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./. 16.03.2016-18.03.2016, Dresden]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si * MOVPE * heterointerface
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0268689 - 6.0466113 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Supplie, O. - Susi, T. - May, M.M. - Hannappel, T.
Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces.
Physical Review B. Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9, č. článku 155309. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA ČR GF16-34856L
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interface structure * GaP/Si heterointerface * interface electronic states * core-level shifts
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.836, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264517 - 7.0448022 - FZÚ 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Supplie, O. - May, M.M. - Steinbach, G. - Romanyuk, Olexandr - Grosse, F. - Nägelein, A. - Kleinschmidt, P. - Brückner, S. - Hannappel, T.
Time-resolved in situ spectroscopy during formation of the GaP/Si(100) heterointerface.
Journal of Physical Chemistry Letters. Roč. 6, č. 3 (2015), 464-469. ISSN 1948-7185
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: solar cells * GaP/Si * heterointerface structure * MOCVD * XPS * RAS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 8.539, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0249767 - 8.0424922 - FZÚ 2014 KR eng A - Abstrakt
Romanyuk, Olexandr - Hannappel, T. - Grosse, F.
GaP/Si Heterointerface Structure Studied by Density Functional Theory.
The 14th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces ICFSI-14.. Gyeongju: ICFSI, 2013. s. 33-33.
[International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces /14./, ICFSI-14. 30.06.2013-05.07.2013, Gyeongju]
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP(111) * ab initio DFT * heterointerface structure * MOCVD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0230912 - 9.0398143 - FZÚ 2014 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Hannappel, T. - Grosse, F.
Atomic and electronic structure of GaP/Si(111), GaP/Si(110), and GaP/Si(113) interfaces and superlattices studied by density functional theory.
Physical Review. B. Roč. 88, č. 11 (2013), "115312-1"-"115312-8". ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA ČR GPP204/10/P028
Grant ostatní: GA AV ČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP * heterointerface structure * DFT
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.664, rok: 2013
http://prb.aps.org/abstract/PRB/v88/i11/e115312
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0225679 - 10.0134447 - FZU-D 20030347 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.
Semiconductors. Roč. 37, č. 10 (2003), s. 1185-1189. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant ostatní: Russian Fondation for Basic Research(RU) 02-02-17633; GLADIS(XE) IST-2001-35178
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: GaInAsSb * InAs * electroluminescence * broken-gap * II type heterointerface * semimetal channel
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.643, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032349