Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0585018 - FZÚ 2025 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Cecchi, S. - Momand, J. - Dragoni, D. - Abou El Kheir, O. - Fagiani, F. - Kriegner, Dominik - Rinaldi, C. - Arciprete, F. - Holý, V. - Kooi, B.J. - Bernasconi, M. - Calarco, R.
    Thick does the trick: genesis of ferroelectricity in 2D GeTe-rich (GeTe)m(Sb2Te3)n lamellae.
    Advanced Science. Roč. 11, č. 1 (2024), č. článku 2304785. E-ISSN 2198-3844
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GM22-22000M
    Grant ostatní: AV ČR(CZ) LQ100102201
    Program: Prémie Lumina quaeruntur
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: 2D ferroelectrics * van der Waals * molecular beam epitaxy * phase-change materials * density functional theory calculations
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 15.1, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352787
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0585018.pdf05.3 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  2. 2.
    0579395 - ÚFM 2025 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Gröger, Roman - Fikar, Jan
    Nucleation of threading dislocations in atomistic simulations of strained layer epitaxy of III-nitrides.
    Acta Materialia. Roč. 264, Jan (2024), č. článku 119570. ISSN 1359-6454. E-ISSN 1873-2453
    Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW01010183
    Institucionální podpora: RVO:68081723
    Klíčová slova: Epitaxy * Misfit * Atomistic simulation * Threading dislocation * Misfit dislocation * Tersoff potential
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 9.4, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1359645423008996?via%3Dihub
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0352664
     
     
  3. 3.
    0578172 - ÚFM 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Pongrácz, Jakub - Vacek, P. - Gröger, Roman
    Recombination activity of threading dislocations in MOVPE-grown AlN/Si {111} films etched by phosphoric acid.
    Journal of Applied Physics. Roč. 134, č. 19 (2023), č. článku 195704. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW01010183; GA MŠMT(CZ) EF18_053/0016933
    Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
    Institucionální podpora: RVO:68081723
    Klíčová slova: Crystallographic defects * Crystal lattices * Crystal structure * Epitaxy * Etching * Atomic force microscopy
    Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
    Impakt faktor: 3.2, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://pubs.aip.org/aip/jap/article-abstract/134/19/195704/2921456/Recombination-activity-of-threading-dislocations?redirectedFrom=fulltext
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0347224
     
     
  4. 4.
    0576644 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Ho, H.C. - Smiljanic, M. - Jovanovic, Z. - Čekada, M. - Kovač, J. - Koster, G. - Hlinka, Jiří - Hodnik, N. - Spreitzer, M.
    Robust SrTiO3 passivation of silicon photocathode by reduced graphene oxide for solar water splitting.
    ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 37 (2023), s. 44482-44492. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GF21-20110K
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: pulsed laser deposition * SrTiO3 * epitaxy * reduced graphene oxide * protection layer * photoelectrochemical water splitting * onset potential * stability
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349481
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0576644.pdf07.5 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  5. 5.
    0576151 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Chewpraditkul, Wa. - Wantong, K. - Chewpraditkul, W. - Pattanaboonmee, N. - Kučerková, Romana - Beitlerová, Alena - Nikl, Martin - Strachotová, D. - Kučera, M.
    Effects of Sc3+ admixture on luminescence and scintillation properties of Ce3+-doped Lu2Y(Al5-xScx)O12 (x = 1, 1.5, 2) garnet single-crystalline films.
    Optical Materials. Roč. 145, Nov (2023), č. článku 114417. ISSN 0925-3467. E-ISSN 1873-1252
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA21-17731S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: Lu2Y(Al,Sc)5O12:Ce * liquid phase epitaxy * luminescence * scintillation * single-crystalline films
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.9, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.optmat.2023.114417
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345739
     
     
  6. 6.
    0572001 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Hývl, Matěj - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Košutová, Tereza
    Electron transport properties in high electron mobility transistor structures improved by V-Pit formation on the AlGaN/GaN interface.
    ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 15 (2023), s. 19646-19652. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT LM2023051
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: HEMT * GaN * AlGaN * metal-organic vapor phase epitaxy * dislocations * electron mobility
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342845
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0572001.pdf04.8 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  7. 7.
    0570943 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Jovanović, Z. - Trstenjak, U. - Ho, H.C. - Butsyk, Olena - Chen, B. - Tchernychova, E. - Borodavka, Fedir - Koster, G. - Hlinka, Jiří - Spreitzer, M.
    Tiling the silicon for added functionality: PLD growth of highly crystalline STO and PZT on graphene oxide-buffered silicon surface.
    ACS Applied Materials and Interfaces. Roč. 15, č. 4 (2023), s. 6058-6068. ISSN 1944-8244. E-ISSN 1944-8252
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GF21-20110K
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: PLD deposition * rGO buffer layer * epitaxy * STO pseudo-substrate * added functionality * PZT
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 9.5, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342281
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0570943.pdf07.9 MBCC licenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  8. 8.
    0569330 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Gedeonová, Zuzana - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
    Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 605, March (2023), č. článku 127061. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GF22-28001K
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: HEMT * GAN * metalorganic vapor phase epitaxy
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127061
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342034
     
     
  9. 9.
    0565529 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Mareš, Jiří A. - Gorbenko, V. - Kučerková, Romana - Průša, P. - Beitlerová, Alena - Zorenko, T. - Pokorný, M. - Witkiewicz-Lukaszek, S. - Syrotych, Y. - D'Ambrosio, C. - Nikl, Martin - Sidletskiy, O. - Zorenko, Yu.
    Scintillation characteristics of the single-crystalline film and composite film-crystal scintillators based on the Ce3+-doped (Lu,Gd)3(Ga,Al)5O12 mixed garnets under alpha and beta particles, and gamma ray excitations.
    Materials. Roč. 15, č. 22 (2022), č. článku 7925. E-ISSN 1996-1944
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA21-17731S; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LM2018104
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: scintillation * Ce3+-doped multicomponent garnets * liquid-phase epitaxy * single-crystalline films * alpha and beta particles * gamma ray
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0337059
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0565529.pdf17.3 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  10. 10.
    0564852 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Wantong, K. - Chewpraditkul, Wa. - Chewpraditkul, W. - Rathaiah, M. - Kučera, M. - Danis, S. - Beitlerová, Alena - Kučerková, Romana - Nikl, Martin
    Optical, luminescence and scintillation characteristics of Gd3Sc2(Al3-xGax)O12: Ce,Mg (x = 0, 1, 2) single crystalline films.
    Optical Materials. Roč. 134, Dec. (2022), č. článku 113240. ISSN 0925-3467. E-ISSN 1873-1252
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA21-17731S
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: Gd3Sc2(Al,Ga)5O12:Ce * liquid phase epitaxy * scintillator * single crystalline films
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 3.9, rok: 2022
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.optmat.2022.113240
    Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0336426
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.