Výsledky vyhledávání
- 1.0439673 - ÚCHP 2015 CZ eng H - Konferenční sborník (tuzemská konf.)
Koštejn, Martin
Preparation of Thin Layers of Ferromagnetic Semiconductors.
Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013. 7 s. ISBN 978-80-01-05344-7.
[studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Dvorská bouda (CZ), 28.06.2013-02.07.213]
Institucionální podpora: RVO:67985858
Klíčová slova: room temperature ferromagnetism * pulsed laser deposition * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242877Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup SKMBT_C22015011914541.pdf 40 3.3 MB Vydavatelský postprint povolen - 2.0439670 - ÚCHP 2015 CZ cze H - Konferenční sborník (tuzemská konf.)
Koštejn, Martin
Příprava tenkých vrstev feromagnetických polovodičů.
[Preparation of Thin Layers of Ferromagnetic Semiconductors.]
Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2012. 6 s. ISBN 978-80-01-05092-7.
[studentská vědecká konference fyziky pevných látek /2./. Tetřeví boudy (CZ), 29.06.2012-03.07.2013]
Institucionální podpora: RVO:67985858
Klíčová slova: room temperature ferromagnetism * pulsed laser deposition * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242872Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup SKMBT_C22015011914540.pdf 46 2.9 MB Vydavatelský postprint povolen - 3.0336403 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Novák, Vít - Olejník, Kamil - Cukr, Miroslav
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs.
[Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E001
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaMnAs * MBE * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.534, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180643 - 4.0336033 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Výborný, Karel - Kučera, Jan - Sinova, J. - Rushforth, A.W. - Gallagher, B. L. - Jungwirth, Tomáš
Microscopic mechanism of the noncrystalline anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As.
[Mikroskopický mechanizmus nekrystalické anizotropni magnetorezistence v GaMnAs.]
Physical Review. B. Roč. 80, č. 16 (2009), 165204/1-165204/8. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA AV ČR KJB100100802; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
GRANT EU: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
Grant ostatní: AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: anisotropic magnetoresistance * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.475, rok: 2009
http://arxiv.org/abs/0906.3151
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180362 - 5.0134633 - FZU-D 20030533 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Sinova, J. - Jungwirth, Tomáš - Kučera, Jan - MacDonald, A. H.
Infrared magneto-optical properties of (III, Mn)V ferromagnetic semiconductors.
Physical Review. B. Roč. 67, č. 23 (2003), s. 235203-1 - 235203-11. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0912
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: ferromagnetic semiconductors * diluted magnetic semiconductors * magneto-optical properties ac-Hall conductivity
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.962, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032529 - 6.0134513 - FZU-D 20030413 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Bouzerar, G. - Kudrnovský, Josef - Bruno, P.
Disorder effects in diluted ferromagnetic semiconductors.
Physical Review. B. Roč. 68, č. 20 (2003), s. 205311-1 - 205311-4. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010203
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: disorder * diluted magnetic semiconductors * Curie temperature * CPA
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.962, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032413 - 7.0134512 - FZU-D 20030412 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Bouzerar, G. - Kudrnovský, Josef - Bergqist, L. - Bruno, P.
Ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors: A comparision between AB INITIO mean-field, RPA, and Monte Carlo treatments.
Physical Review. B. Roč. 68, č. 8 (2003), s. 081203-1 - 081203-4. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010203
Grant ostatní: RTN(XX) HPRN-CT-2000-00143
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: Curie temperature * diluted magnetic semiconductors * mean-field * RPA * Monte-Carlo
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.962, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032412 - 8.0134243 - FZU-D 20030138 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kudrnovský, Josef - Turek, Ilja - Drchal, Václav - Máca, František - Mašek, Jan - Weinberger, P. - Bruno, P.
AB INITIO study of Curie temperature of diluted magnetic semiconductors.
Journal of Superconductivity. Roč. 16, č. 1 (2003), s. 119-122. ISSN 0896-1107
Grant CEP: GA ČR GA202/00/0122; GA AV ČR IAA1010203; GA MŠMT OC P5.30
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2041904; CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: Curie temperature * heisenberg model * diluted magnetic semiconductors * ab initio approach * As antisites
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.794, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032157 - 9.0134208 - FZU-D 20030101 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Mašek, Jan - Kudrnovský, Josef - Máca, František
Lattice constant in diluted magnetic semiconductors (Ga, Mn)As.
Physical Review. B. Roč. 67, č. 15 (2003), s. 153203-1 - 153203-4. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010214; GA ČR GA202/00/0122
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: diluted magnetic semiconductors * total energy * impurities
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.962, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032123 - 10.0134170 - FZU-D 20030062 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Máca, František - Mašek, Jan
Electronic states in Ga1-xMnxAs: Substitutional versus interstitial position of Mn.
Physical Review. B. Roč. 65, č. 23 (2002), s. 235209-1 - 235209-6. ISSN 0163-1829
Grant CEP: GA MŠMT OC P3.80; GA AV ČR IAA1010214
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: electronic structure * diluted magnetic semiconductors * Mn
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.327, rok: 2002
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032094