Výsledky vyhledávání
- 1.0547617 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Paszuk, A. - Bartoš, Igor - Wilks, R.G. - Nandy, M. - Bombsch, J. - Hartmann, C. - Félix, R. - Ueda, S. - Gordeev, Ivan - Houdková, Jana - Kleinschmidt, P. - Machek, Pavel - Bär, M. - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
Band bending at heterovalent interfaces: hard X-ray photoelectron spectroscopy of GaP/Si(0 0 1) heterostructures.
Applied Surface Science. Roč. 565, Nov. (2021), č. článku 150514. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si(0 0 1) * heterointerface * HAXPES * MOVPE * interface core level shifts * band level alignment
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 7.392, rok: 2021
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.150514
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323908 - 2.0536206 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Gordeev, Ivan - Paszuk, A. - Supplie, O. - Stoeckmann, J.P. - Houdková, Jana - Ukraintsev, Egor - Bartoš, Igor - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering.
Applied Surface Science. Roč. 514, Jun (2020), s. 1-8, č. článku 145903. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LM2015088; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si heterostructure * buried interface analysis * XPS * depth profiling * gas cluster ion beam sputtering * interface core level shifts
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.707, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.145903
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314015 - 3.0466113 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Supplie, O. - Susi, T. - May, M.M. - Hannappel, T.
Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces.
Physical Review B. Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9, č. článku 155309. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA ČR GF16-34856L
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: interface structure * GaP/Si heterointerface * interface electronic states * core-level shifts
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.836, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0264517