Výsledky vyhledávání
- 1.0521853 - FZÚ 2020 RIV BE eng A - Abstrakt
Remeš, Zdeněk - Stuchlíková, The-Ha - Mortet, Vincent - Ashcheulov, Petr - Taylor, Andrew - Stuchlík, Jiří
Optoelectronic properties of thin film amorphous hydrogenated silicon carbide diodes deposited on transparent boron-doped diamond.
Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV. Hasselt: SBDD XXIV, 2019. s. 150-150.
[Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV. 13.03.2019-15.03.2019, Hasselt]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LTC17029; GA ČR GC19-02858J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: amorphous hydrogenated silicon carbide * boron-doped diamond
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306407 - 2.0336628 - FZÚ 2010 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Stuchlík, Jiří - Ledinský, Martin - Honda, Shinya - Drbohlav, Ivo - Mates, Tomáš - Fejfar, Antonín - Hruška, Karel - Stuchlíková, The-Ha - Kočka, Jan
LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition.
Thin Solid Films. Roč. 517, č. 24 (2009), s. 6829-6832. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: amorphous hydrogenated silicon * atomic force microscopy * plasma-enhanced chemical vapour deposition, * nucleation * Raman scattering * lithium fluoride
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.727, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180823