Výsledky vyhledávání

  1. 1.
    0556216 - ÚJF 2022 RIV GB eng A - Abstrakt
    Karlík, M. - Daghbouj, N. - Lorinčík, J. - Polcar, T. - Callisti, M. - Havránek, Vladimír
    Ion implantation into ZrNb nanometric multilayers.
    Acta Crystallographica A-Foundation and Advances. Oxford Blackwell. Roč. 77, AUG (2021), s. 839-839. ISSN 2053-2733. E-ISSN 2053-2733.
    [IUCr Congress /25./. 14.08.2021-22.08.2021, Prague]
    Institucionální podpora: RVO:61389005
    Klíčová slova: Zr/Nb multilayers * ion irradiation * strain * XRD * SIMS
    Obor OECD: Analytical chemistry
    https://doi.org/10.1107/S0108767321088590
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330501
     
     
  2. 2.
    0546598 - FZÚ 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Izsák, Tibor - Vanko, G. - Babčenko, Oleg - Vincze, A. - Vojs, M. - Zaťko, B. - Kromka, Alexander
    Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements.
    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 273, Nov. (2021), č. článku 115434. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
    Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) 8X20035; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: polycrystalline diamond * GaN * Raman spectroscopy * stress * SIMS
    Obor OECD: Coating and films
    Impakt faktor: 3.407, rok: 2021
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115434
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323195
     
     
  3. 3.
    0546538 - FZÚ 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Weiss, Zdeněk
    Analysis of hydrogen in inorganic materials and coatings: a critical review.
    Hydrogen. Roč. 2, č. 2 (2021), s. 225-245. E-ISSN 2673-4141
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: hydrogen * bulk analysis * depth profiling * IGF * TDS * GDOES * GDMS * LIBS * SIMS * NRA * ERDA
    Obor OECD: Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect)
    Způsob publikování: Open access
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323201
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0546538.pdf22.8 MBCC LicenceVydavatelský postprintpovolen
     
     
  4. 4.
    0542725 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Horešovský, Robert - Kuldová, Karla
    Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells.
    Journal of Luminescence. Roč. 236, Aug (2021), č. článku 118127. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
    Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA TA ČR(CZ) FW03010298
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: nitrides * impurity * SIMS * InGaN/GaN
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 4.171, rok: 2021
    Způsob publikování: Open access s časovým embargem
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320090
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0542725.pdf41 MBAutorský postprintpovolen
     
     
  5. 5.
    0541428 - ÚJF 2022 RIV IN eng J - Článek v odborném periodiku
    Torrisi, Alfio - Horák, Pavel - Vacík, Jiří - Lavrentiev, Vasyl - Cannavó, Antonino - Ceccio, Giovanni - Vaniš, Jan - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
    Synthesis of Cu-Ti thin film multilayers on silicon substrates.
    Bulletin of Materials Science. Roč. 44, č. 1 (2021), č. článku 50. ISSN 0250-4707. E-ISSN 0973-7669
    Grant CEP: GA ČR GA19-02804S
    Výzkumná infrastruktura: CANAM II - 90056
    Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:61389005
    Klíčová slova: chemiresistors * intermixing layers * thermal annealing * SIMS analysis * Cu-Ti
    Obor OECD: Materials engineering; Electrical and electronic engineering (URE-Y)
    Impakt faktor: 1.878, rok: 2021
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1007/s12034-020-02346-6
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0318986
     
     
  6. 6.
    0540116 - ÚPT 2021 RIV CZ cze O - Ostatní výsledky
    Bábor, P. - Nejezchleb, K. - Lalinský, Ondřej
    Kontrola čistoty povrchů optických krystalů.
    [Purity control of optical crystal surfaces.]
    2020
    Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TN01000008
    Institucionální podpora: RVO:68081731
    Klíčová slova: surface * crystal * contamination * SIMS * LEIS
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0317774
     
     
  7. 7.
    0539244 - FZÚ 2021 RIV CZ eng A - Abstrakt
    Hulicius, Eduard - Dominec, Filip - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Bábor, P.
    SIMS studies of MOVPE GaN/InGaN scintilator nano-structures.
    Proceedings of Abstracts - Nanocon 2019. Ostrava: Tanger Ltd., 2019 - (Shrbená-Váňová, J.). s. 81-81. ISBN 978-80-87294-94-9.
    [Nanocon 2019 International Conference on Nanomaterials - Research & Application /11./. 16.10.2019-18.10.2019, Brno]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA16-11769S; GA MŠMT(CZ) LO1603; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: SIMS * InGaN/GaN heterostructure * scintillators * MOVPE
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316917
     
     
  8. 8.
    0538978 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Hofmann, S. - Lejček, Pavel - Zhou, G. - Yang, H. - Lian, S.Y. - Kovač, J. - Wang, J.Y.
    Explanation of the apparent depth resolution improvement by SIMS using cluster ion detection.
    Journal of Vacuum Science and Technology. Part B. Nanotechnology & Microelectronics. Roč. 38, č. 3 (2020), s. 1-7, č. článku 034010. ISSN 2166-2746. E-ISSN 2166-2754
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: SIMS * depth resolution * secondary clusters * MRI model
    Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impakt faktor: 1.416, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1116/6.0000108
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316709
     
     
  9. 9.
    0538397 - ÚPT 2021 RIV CZ cze O - Ostatní výsledky
    Matějka, Milan - Chlumská, Jana - Kolařík, Vladimír - Lalinský, Ondřej - Bábor, P. - Nejezchleb, K. - Horodyský, P. - Himics, D.
    Nové monokrystaly pro elektronovou mikroskopii.
    [New single crystals for electron microscopy.]
    2020
    Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TN01000008
    Institucionální podpora: RVO:68081731
    Klíčová slova: scintillator * garnet * silicate * microlithography * cathodoluminescence * contamination * SIMS * LEIS * ITO
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0316202
     
     
  10. 10.
    0534005 - ÚJF 2021 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Torrisi, Alfio - Horák, Pavel - Vacík, Jiří - Cannavó, Antonino - Ceccio, Giovanni - Vaniš, Jan - Yatskiv, Roman - Grym, Jan
    Multilayered Cu-Ti deposition on silicon substrates for chemiresistor applications.
    Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements. Roč. 195, č. 11 (2020), s. 932-935. ISSN 1042-6507. E-ISSN 1563-5325
    Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA19-02804S
    Institucionální podpora: RVO:61389005 ; RVO:67985882
    Klíčová slova: chemiresistor * Cu-Ti * intermixing layers * SIMS analysis * thermal annealing
    Obor OECD: Inorganic and nuclear chemistry; Electrical and electronic engineering (URE-Y)
    Impakt faktor: 1.082, rok: 2020
    Způsob publikování: Omezený přístup
    https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804166
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0312228
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.