Výsledky vyhledávání
- 1.0504789 - ÚJF 2020 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Mikšová, Romana - Sofer, Z. - Klímová, K. - Mikulics, M. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S. - Oswald, Jiří
Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN.
Thin Solid Films. Roč. 680, č. 6 (2019), s. 102-113. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA MŠMT EF16_013/0001812; GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA18-03346S
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389005
Klíčová slova: Implanted (0001) and (11-20) GaN * Damage accumulation asymmetry in GaN * Ion implantation in semiconductors * RBS channelling * Damage-depth profiling
Obor OECD: Nuclear physics; Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) (FZU-D)
Impakt faktor: 2.030, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.04.035
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0296342 - 2.0479677 - ÚJF 2018 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Klímová, K. - Sedmidubský, D. - Pristovsek, M. - Mikulics, M. - Lorinčík, Jan - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Structural and optical properties of Gd implanted GaN with various crystallographic orientations.
Thin Solid Films. Roč. 638, SEP (2017), s. 63-72. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA ČR GA13-20507S; GA ČR GA15-01602S; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:67985882 ; RVO:61389005
Klíčová slova: GaN implantation * RBS channelling * optical properties of Gd implanted GaN
Obor OECD: 1.3 Physical sciences; Optics (including laser optics and quantum optics) (URE-Y)
Impakt faktor: 1.939, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275642 - 3.0479636 - ÚJF 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Jagerová, Adéla - Sofer, Z. - Klímová, K. - Sedmidubský, D. - Mikulics, M. - Lorinčík, Jan - Veselá, D. - Bottger, R. - Akhmadaliev, S.
Structural and optical properties of vanadium ion-implanted GaN.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 406, SEP (2017), s. 53-57. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584
Grant CEP: GA ČR GA13-20507S; GA ČR GA15-01602S; GA MŠMT LM2015056
Institucionální podpora: RVO:61389005 ; RVO:67985882
Klíčová slova: GaN implantation * RBS-channelling * optical properties of metal-implanted GaN
Obor OECD: Nuclear physics; Electrical and electronic engineering (URE-Y)
Impakt faktor: 1.323, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275610 - 4.0479631 - ÚJF 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Mikšová, Romana - Macková, Anna - Malinský, Petr
The electronic stopping powers and angular energy-loss dependence of helium and lithium ions in the silicon crystal.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 406, SEP (2017), s. 179-184. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584
Grant CEP: GA MŠMT LM2015056; GA ČR GA15-01602S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: energy-loss measurement * SOI material * RBS-channelling
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 1.323, rok: 2017
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0275605 - 5.0459130 - ÚJF 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Sofer, Z. - Šimek, P. - Sedmidubský, D. - Veselý, M. - Bottger, R.
The structural and optical properties of metal ion-implanted GaN.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 371, MAR (2016), s. 254-257. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584.
[22nd International conference on Ion Beam Analysis (IBA). Opatija, 14.06.2015-19.06.2015]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2011019; GA ČR GA15-01602S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: RBS channelling * metal-implanted GaN * structural changes
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.109, rok: 2016
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0259372 - 6.0433165 - ÚJF 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Pupíková, Hana - Nekvindová, P. - Cajzl, J. - Švecová, B. - Oswald, Jiří - Wilhelm, R. A. - Kolitsch, A.
A comparison of the structural changes and optical properties of LiNbO3, Al2O3 and ZnO after Er+ ion implantation.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 331, JUL (2014), s. 182-186. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108; GA MŠMT(XE) LM2011019
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:61389005
Klíčová slova: Er ion implantation * crystals * depth profiles * RBS * RBS channelling * photoluminescence
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.124, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237443 - 7.0433018 - ÚJF 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Macková, Anna - Malinský, Petr - Sofer, Z. - Šimek, P. - Sedmidubský, D. - Mikulics, M. - Wilhelm, R. A.
A study of the structural and magnetic properties of ZnO implanted by Gd ions.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 332, AUG (2014), s. 80-84. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584.
[21st International Conference on Ion Beam Analysis (IBA). Seattle, 23.06.2013-28.06.2013]
Grant CEP: GA MŠMT(XE) LM2011019; GA ČR GA13-20507S
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: ZnO * Gd implantation * depth profiles * RBS Channelling * Raman spectroscopy * AFM
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Impakt faktor: 1.124, rok: 2014
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0237343 - 8.0382664 - ÚJF 2013 CN eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Macková, Anna - Malinský, Petr - Sofer, Z. - Sedmidubský, D. - Kormunda, M.
Structural and optical properties study of GaN implanted by various rare earth ions.
Program and Abstract Book. 2012.
[The 18th International Conference on Ion Beam Modifications of Materials. Qingdao (CN), 02.09.2012-07.09.2012]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) 106/09/0125
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: implantation * RBS channelling
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0212821 - 9.0332850 - ÚJF 2010 GB eng A - Abstrakt
Macková, Anna - Malinský, Petr - Švecová, B. - Nekvindová, P. - Grotzschel, R.
RBS/channelling study of Er+ ion-implanted lithium niobate structure after an annealing procedure.
Abstract book, 19th International conference on Ion beam analysis. Cambridge: IOP, Institute of physics, 2009.
[19th International conference on Ion beam analysis. 07.09.2009-11.09.2009, Cambridge]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06041
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: Lithium niobate * Erbium * Ion implantation * RBS/channelling
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0177978