Výsledky vyhledávání
- 1.0585344 - FZÚ 2025 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard
Hybridní scintilační detektor, založený na vícenásobných kvantových jámách InGaN/GaN, připravených metodou MOVPE s vrstvami scintilátoru BGO.
[A hybrid detector based on MOVPE-grown InGaN/GaN multiple quantum wells with BGO scintillator layers.]
Československý časopis pro fyziku. Roč. 74, č. 1 (2024), s. 13-17. ISSN 0009-0700
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Výzkumná infrastruktura: CzechNanoLab - 90110
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: scintilátory * BGO * GaN * MOVPE * InGaN/GaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Způsob publikování: Omezený přístup
https://ccf.fzu.cz/
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0353063 - 2.0583049 - FZÚ 2024 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K. - Hulicius, Eduard
Hybrid detector based on MOVPE grown InGaN/GaN MQW + BGO.
21. konference českých a slovenských fyziků - Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, 2023 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 49-52. ISBN 978-80-89855-21-6.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /21./. Bratislava (SK), 04.09.2023-07.09.2023]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE InGaN/GaN * scintillator * detector
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://kis.cvt.stuba.sk/arl-stu/sk/detail-stu_us_cat-0106937-21st-Conference-of-Czech-and-Slovak-Physicists/?disprec=1&iset=2
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0351047 - 3.0570907 - FZÚ 2024 RIV CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice - Blažek, K.
Hybrid detector based on MOVPE grown InGaN/GaN MQW + BGO.
NANOCON 2022 - Book of Abstracts. Ostrava: Tanger Ltd, 2022 - (Zbořil, R.; Váňová, J.). s. 25-25. ISBN 978-80-88365-07-5.
[International Conference on Nanomaterials - Research & Application /14./ NANOCON. 19.10.2022-21.10.2022, Brno]
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * quantum wells * scintillator
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0342237 - 4.0570390 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Gedeonová, Zuzana - Hájek, František - Košutová, Tereza - Banerjee, Swarnendu - Hubík, Pavel - Pangrác, Jiří - Vaněk, Tomáš - Hospodková, Alice
Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers.
Journal of Crystal Growth. Roč. 604, Feb (2023), č. článku 127043. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA MŠMT(CZ) LTAIN19163; GA ČR(CZ) GJ20-05497Y
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium * MOVPE * InGaN * nitrides * photoluminescence * doping
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.8, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0341707 - 5.0568265 - FZÚ 2023 RIV DE eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
Formation of Ga vacancies in MOVPE prepared GaN layers.
Abstract book of the International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /20./ - ICMOVPE XX. Stuttgart: University of Stuttgart, 2022 - (Jetter, M.; Scholz, F.). s. 28-28
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ICMOVPE XX /20./. 10.07.2022-14.07.2022, Stuttgart]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaN * vacancies * positron annihilation spectroscopy
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0339595 - 6.0568264 - FZÚ 2023 RIV DE eng A - Abstrakt
Batysta, Jan - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Hájek, František - Kuldová, Karla
Compensation of strain in InGaN/GaN QWs by AlGaN layer.
Abstract book of the International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /20./ - ICMOVPE XX. Stuttgart: University of Stuttgart, 2022 - (Jetter, M.; Scholz, F.). s. 200-200
[International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ICMOVPE XX /20./. 10.07.2022-14.07.2022, Stuttgart]
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW03010298
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * InGaN/GaN * quantum wells * strain
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0339593 - 7.0567935 - FZÚ 2023 RIV PL eng A - Abstrakt
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Liedke, M.O. - Butterling, M. - Wagner, A.
Ga vacancies in MOVPE prepared GaN layers - correlation with other point defects.
PCCG 2022, Polish Conference on Crystal Growth 2022 - Book of Abstracts. Gdańsk: Gdańsk University of Technology, 2022 - (Klimczuk, T.). s. 23-23
[Polish Conference on Crystal Growth 2022 /PCCG 2022/. 19.06.2022-24.06.2022, Gdańsk]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: MOVPE * GaN * defects * vacancies
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://event.mostwiedzy.pl/event/2/attachments/52/145/PCCG_Abstract_book_updated.pdf
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0339197 - 8.0562801 - FZÚ 2023 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Čížek, J. - Hájek, František - Hubáček, Tomáš - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Kuldová, Karla - Batysta, Jan - Liedke, M.O. - Hirschmann, E. - Butterling, M. - Wagner, A.
Relation between Ga vacancies, photoluminescence, and growth conditions of MOVPE-prepared GaN layers.
Materials. Roč. 15, č. 19 (2022), č. článku 6916. E-ISSN 1996-1944
Grant CEP: GA MŠMT LM2018110; GA ČR(CZ) GF22-28001K; GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: AV ČR(CZ) PAN-20-19; OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * defects * positron annihilation spectroscopy * photoluminescence * MOVPE
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334994Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0562801.pdf 0 4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 9.0562792 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zare Pour, M.A. - Romanyuk, Olexandr - Moritz, D.C. - Paszuk, A. - Maheu, C. - Shekarabi, S. - Hanke, K.D. - Ostheimer, D. - Mayer, T. - Hofmann, J.P. - Jaegermann, W. - Hannappel, T.
Band energy diagrams of n-GaInP/n-AlInP(100) surfaces and heterointerfaces studied by X-ray photoelectron spectroscopy.
Surfaces and Interfaces. Roč. 34, Nov. (2022), č. článku 102384. ISSN 2468-0230. E-ISSN 2468-0230
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: heterojunction * XPS * MOVPE * valence band offset * GaInP * AlInP
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.2, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102384
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334988 - 10.0562785 - FZÚ 2023 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Paszuk, A. - Gordeev, Ivan - Wilks, R.G. - Ueda, S. - Hartmann, C. - Félix, R. - Bär, M. - Schlueter, C. - Gloskovskii, A. - Bartoš, Igor - Nandy, M. - Houdková, Jana - Jiříček, Petr - Jaegermann, W. - Hofmann, J.P. - Hannappel, T.
Combining advanced photoelectron spectroscopy approaches to analyse deeply buried GaP(As)/Si(1 0 0) interfaces: Interfacial chemical states and complete band energy diagrams.
Applied Surface Science. Roč. 605, Dec. (2022), č. článku 154630. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: XPS * GCIB * HAXPES * MOVPE * valence band offset * GaP(As)/Si
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.7, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154630
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0334984