Výsledky vyhledávání
- 1.0500281 - FZÚ 2019 RIV CZ eng L - Prototyp, funkční vzorek
Červenka, Vlastimil - Huynh, Jaroslav - Řeháková, Martina
High Power Switch for Pockels cell.
Interní kód: HiLASE 03/2018 ; 2018
Technické parametry: Max. spínané napětí >7,2kV ověřeno, předpoklad 10kV, max. frekvence spínání >1MHz, ověřeno v burst módu, max. součin spínací frekvence a spínaného napětí >5MHz x kV.
Ekonomické parametry: Odhadovaná koncová cena zařízení do 30 tis. Kč (bez napájecích zdrojů a přídavné bezindukční zátěže), celková celosvětová kapacita do 100 ks/rok s meziročním růstem nad 5%
Grant CEP: GA MŠMT LO1602; GA ČR GA16-12960S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: pockels Cell * High voltage switch * transistor MOSFET * stack of transistors * protective circuits * monitoring circuits
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0292384 - 2.0456839 - FZÚ 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Uhnevionak, V. - Burenkov, A. - Strenger, C. - Ortiz, G. - Bedel-Pereira, E. - Mortet, Vincent - Cristiano, F. - Bauer, A.J. - Pichler, P.
Comprehensive study of the electron scattering mechanisms in 4H-SiC MOSFETs.
IEEE Transactions on Electron Devices. Roč. 62, č. 8 (2015), s. 2562-2570. ISSN 0018-9383. E-ISSN 1557-9646
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electron mobility * Hall effect * scattering mechanisms * SiC MOSFET
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.207, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0257305 - 3.0427165 - FZÚ 2015 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Krahlisch, M. - Wulf, U. - Kučera, Jan - Richter, H. - Höntschel, J.
Analytical expressions for the drain current of a nanotransistor in the off-state regime.
Physica Status Solidi C. Roč. 11, č. 1 (2014), s. 113-116. ISSN 1862-6351
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: source to drain tunneling * Fowler-Nordheim tunneling * MOSFET * analytical drain current
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0232799 - 4.0354206 - FZÚ 2011 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Ciccarelli, C. - Park, B.G. - Ogawa, S. - Ferguson, A.J. - Wunderlich, Joerg
Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor.
Applied Physics Letters. Roč. 97, č. 8 (2010), 082106/1-082106/3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOSFET
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.820, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0193257 - 5.0100328 - FZU-D 20040263 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Smrčka, Ludvík - Makarovsky, O. N. - Schemenchinskii, S. G. - Vašek, Petr - Jurka, Vlastimil
Magnetoresistance of Si(001) MOSFETs with high concentration of electrons.
[Magnetorezistence Si(001) MOSFETů s vysokou koncentrací elektronů.]
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 22, - (2004), s. 320-323. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759.
[International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems /15./. Nara, 14.07.2003-18.07.2003]
Grant CEP: GA ČR GA202/01/0754; GA ČR GA202/96/0036
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: Si MOSFET * magnetoresistance * Hall effect
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.898, rok: 2004
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007831