Výsledky vyhledávání
- 1.0511161 - FZÚ 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Su, X. - Zeng, X. - Němec, Hynek - Zou, X.S. - Zhang, W. - Borgström, M.T. - Yartsev, A.
Effect of hydrogen chloride etching on carrier recombination processes of indium phosphide nanowires.
Nanoscale. Roč. 11, č. 40 (2019), s. 18550-18558. ISSN 2040-3364. E-ISSN 2040-3372
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GA17-03662S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Inp nanowires * electron transmission * terahertz spectroscopy * efficiency * photoconductivity * ultrafast dynamics
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.895, rok: 2019
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0301494Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0511161.pdf 3 5 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 2.0486583 - FZÚ 2018 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Němec, Hynek - Ponseca jr., C.S. - Wallentin, J. - Anttu, N. - Beech, J.P. - Iqbal, A. - Borgström, M. - Pistol, M.-E. - Samuelson, L. - Yartsev, A.
Bulk-like transversal electron mobility in heavily n-doped InP nanowires probed by terahertz spectroscopy.
Proceedings of the 39th International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves. New York: IEEE, 2014, s. 1-2, č. článku 6956038. ISBN 978-147993877-3. ISSN 2162-2027.
[39th International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves. Tucson (US), 14.09.2014-19.09.2014]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: terahertz spectroscopy * InP nanowires
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0281339 - 3.0387285 - ÚFE 2013 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Particle detectors based on InP Schottky diodes.
Journal of Instrumentation. Roč. 10, č. 7 (2012), C100051-C100055. ISSN 1748-0221. E-ISSN 1748-0221
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) OC10021; GA MŠMT LD12014
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: Particle detector * High purity InP layer * Schottky diode
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.656, rok: 2012
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0220242 - 4.0374737 - ÚFE 2012 SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Yatskiv, Roman - Grym, Jan
Graphite based Schottky diodes.
Proceedings of the 21th Joint Seminar – Development of materials science in research and education. Bratislava: Slovak Expert Group of Solid State Chemistry and Physics, 2011 - (Koman, M.; Mikloš, D.), s. 74-75. ISBN 978-80-8134-002-4.
[21th Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education. Kežmarské Žlaby (SK), 29.08.2011-02.09.2011]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Schottky diode * Graphite * InP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0207580 - 5.0351779 - ÚFE 2011 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Lomov, A. A. - Punegov, V. I. - Vasil'ev, A. L. - Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Kartsev, A. A. - Novikov, D. V.
X-ray diffraction analysis of multilayer porous InP(001) structure.
Crystallography Reports. Roč. 55, č. 2 (2010), s. 182-190. ISSN 1063-7745. E-ISSN 1562-689X
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: silicon layers * INP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.644, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0191457 - 6.0349841 - ÚFE 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav
Room temperature particle detectors based on indium phosphide.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 612, č. 2 (2010), s. 334-337. ISSN 0168-9002. E-ISSN 1872-9576
Grant CEP: GA AV ČR KJB200670901; GA AV ČR(CZ) KAN401220801; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Particle detector * Semi-insulating InP * High purity InP layers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.142, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0189978 - 7.0346109 - ÚFE 2011 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Pekárek, Ladislav - Yatskiv, Roman
Growth of InP crystals for radiation detectors and other application.
Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education. Praha: Czechoslovak association for crystal growth, 2008 - (Nitsch, K.; Rodová, M.), s. 74-75. ISBN 978-80-254-0864-3.
[Development of Materials Science in Research and Education, Joint Seminar 2008 /18./. Hnanice (CZ), 02.09.2008-05.09.2008]
Grant CEP: GA AV ČR KAN400670651; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: crystal growth * radiation detector * InP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187217 - 8.0346104 - ÚFE 2011 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Yatskiv, Roman - Grym, Jan - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Zavadil, Jiří
GROWTH OF InP CRYSTALS WITH RARE-EARTH ELEMENTS.
2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM). NEW YORK: IEE, 2009, s. 91-93. International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. ISBN 978-1-4244-3432-9. ISSN 1092-8669.
[21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Newport Beach (US), 10.05.2009-14.05.2009]
Grant CEP: GA AV ČR KJB200670901; GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Rare-earth elements * Crystals growth * InP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187213 - 9.0345880 - ÚFE 2011 SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Yatskiv, Roman - Zavadil, Jiří - Pekárek, Ladislav
INFLUENCE OF RARE-EARTH ELEMENTS ON THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF INP BULK CRYSTALS.
Development of Materials Science in Research and Education. Bratislava: STU, 2009 - (Koman, M.; Mikloš, D.), s. 80-81. ISBN 978-80-89088-81-2.
[19th Development of Materials Science in Research and Education. Závažná Poruba (SK), 31.08.2009-04.09.2009]
Grant CEP: GA AV ČR KJB200670901
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: InP * Rare-earth elements * Crystals growth
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187059 - 10.0341490 - ÚFE 2011 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Lorinčík, Jan
Influence of Yb AND Yb2O3 addition on the properties of InP layers.
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Roč. 10, č. 12 (2008), s. 3261-3264. ISSN 1454-4164. E-ISSN 1841-7132
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * InP
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.577, rok: 2008
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0005810