Výsledky vyhledávání
- 1.0536230 - FZÚ 2021 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Remeš, Zdeněk - Taylor, Andrew - Mortet, Vincent - Ashcheulov, Petr - Gregora, Ivan - Krivyakin, G. - Volodin, V.
High-temperature PIN diodes based on amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys and boron-doped diamond thin films.
Physica Status Solidi B. Roč. 257, č. 6 (2020), s. 1-6, č. článku 1900247. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR GC19-02858J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: a-SiC:H * boron-doped diamond * fluorine-doped tin oxide * I-V characteristics * PIN diodes * BDD * FTO
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.710, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1002/pssb.201900247
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314043 - 2.0522710 - FZÚ 2020 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Stuchlíková, The-Ha - Remeš, Zdeněk - Stuchlík, Jiří
Germanium and tin nanoparticles encapsulated in amorphous silicon matrix for optoelectronic application.
NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./. Ostrava: Tanger Ltd., 2019 - (Shrbená, J.), s. 226-229. ISBN 978-80-87294-89-5.
[NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./. Brno (CZ), 17.10.2018-19.10.2018]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LTC17029; GA ČR GC16-10429J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Ge NPs * a-Si:H * Sn NPs * diode structures * I-V characteristics
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307160 - 3.0521995 - FZÚ 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mičušík, M. - Boháček, P. - Zaťko, B. - Gombia, E. - Kováč, J. - Nečas, V.
Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry.
APCOM 2019. New York: American Institute of Physics Inc., 2019 - (Jamnicky, I.; Vajda, J.; Sitek, J.), s. 1-4, č. článku 020010. ISBN 9780735418738.
[International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /25./. Štrbské Pleso (SK), 19.06.2019-21.06.2019]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: SI-GaAs * heterojunction * I-V characteristics * capacitance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://printorders.aip.org/proceedings/2131
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306535 - 4.0505694 - ÚJF 2020 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Silipigni, L. - Salvato, G. - Di Marco, G. - Fazio, B. - Torrisi, Alfio - Cutroneo, Mariapompea - Torrisi, L.
Band-like transport in high vacuum thermal reduced graphene oxide films.
Vacuum. Roč. 165, č. 7 (2019), s. 254-261. ISSN 0042-207X. E-ISSN 1879-2715
Institucionální podpora: RVO:61389005
Klíčová slova: graphene oxide * reduced graphene oxide * electrical conductivity * I-V characteristics
Obor OECD: Nuclear physics
Impakt faktor: 2.906, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.04.025
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0297105 - 5.0498028 - FZÚ 2019 JP eng A - Abstrakt
Stuchlíková, The-Ha - Remeš, Zdeněk - Fajgar, Radek - Kupčík, Jaroslav - Im, C. - Stuchlík, Jiří
Forming of tin nanoparticles on the surface of hydrogenated silicon thin films.
Book of Abstracts - Grand Renewable Energy - International Conference and Exhibition 2018. Tokyo, 2018. P-Pv-2-20.
[Grand Renewable Energy - International Conference and Exhibition 2018. 17.06.2018-22.06.2018, Yokohama]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LTC17029
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KONNECT-007
Program: Bilaterální spolupráce
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985858
Klíčová slova: Si:H * PECVD * Sn NPs * diode structures * I-V characteristics
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.); Chemical process engineering (UCHP-M)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0290451 - 6.0463487 - ÚFM 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Elhadidy, Hassan - Grill, R. - Franc, J. - Sik, O. - Moravec, P. - Schneeweiss, Oldřich
Ion electromigration in CdTe Schottky metal-semiconductor-metal structure.
Solid State Ionics. Roč. 278, OCT (2015), s. 20-25. ISSN 0167-2738. E-ISSN 1872-7689
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ED1.1.00/02.0068
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: M-S-M Structure * Electromigration * Au/CdTe interface * I-V characteristics * Current transients * Diffusion coefficient
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.380, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262689 - 7.0451880 - FZÚ 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Stuchlíková, The-Ha - Remeš, Zdeněk - Purkrt, Adam - Stuchlík, Jiří - Král, Karel
Methods applied for the characterization of Si:H thin films with embedded nanoparticles.
Advanced Science, Engineering and Medicine. Roč. 7, č. 4 (2015), s. 270-274. ISSN 2164-6627
Grant CEP: GA MŠMT LH12236
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: electrical conductivity * activation energy * CPM * SEM * I - V characteristics * nanoparticles
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0252937 - 8.0436704 - ÚFP 2015 RIV FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Podolník, Aleš - Komm, Michael - Dejarnac, Renaud - Pánek, Radomír - Gunn, J. P.
Particle-in-cell Simulations of Flush-Mounted Probes.
EPS2014:41st EPS Conference on Plasma Physics. Vol. 38F. Mulhouse: European Physical Society, 2014 - (Ratynskaia, S.; Mantica, P.; Benuzzi-Mounaix, A.; Dilecce, G.; Bingham, R.; Hirsch, M.; Kemnitz, B.; Klinger, T.), P1.041-P1.041. Europhysics Conference Abstracts (ECA). ISBN 2-914771-90-8.
[EPS Conference on Plasma Physics/41./. Berlin (DE), 23.06.2014-27.06.2014]
Grant CEP: GA ČR GAP205/11/2341
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: Flush probe * I-V characteristics * simulation * Particle-in-cell
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
http://ocs.ciemat.es/EPS2014PAP/pdf/P1.041.pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0240372 - 9.0349663 - ÚFP 2011 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Komm, M. - Adámek, Jiří - Pekárek, Z. - Pánek, Radomír
Particle-In-Cell simulations of the Ball-pen probe.
Contributions to Plasma Physics. Roč. 50, č. 9 (2010), s. 814-818. ISSN 0863-1042. E-ISSN 1521-3986
Grant CEP: GA AV ČR KJB100430901
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20430508
Klíčová slova: Ball-pen * tokamak * plasma * plasma potential * PIC * simulation * I-V characteristics
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Impakt faktor: 1.006, rok: 2010
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/ctpp.201010137/pdf
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0189840 - 10.0023779 - FZÚ 2006 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Jackiv, R. - Třebický, T. - Voves, J. - Výborný, Zdeněk - Cukr, Miroslav - Jurka, Vlastimil
Experimental and theoretical study of the I-V bistabilities of resonant tunneling diodes.
[Experimentální a teoretická studie I-V bistabilit u rezonančních tunelovacích.]
Proceedings of the International Conference of Microelectronics /24./. Piscataway: IEEE, 2004 - (Stojanovič, N.), s. 359-362. 1. ISBN 0-7803-8166-1.
[International Conference om Microelectronics /24./. Niš (YU), 16.05.2004-19.05.2004]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS1010004
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: resonant tunneling diode * MBE * I-V characteristics * Wingreen simulator * transfer-matrix method.
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114431