Výsledky vyhledávání
- 1.0361365 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cao, R. - Horng, L. - Wu, T.C. - Lin, J.C. - Wu, J.C. - Yang, T.-J. - Koláček, Jan
Experimental and simulation study of missing matching peaks in Nb thinfilms with square pinning arrays.
Journal of Applied Physics. Roč. 109, č. 8 (2011), "083920-1"-"083920-5". ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR(CZ) GAP204/11/0015; GA MŠMT(CZ) ME10069
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: critical currents * flux pinning * galvanomagnetic effects * interstitials * metallic thin films * niobium * superconducting thin films
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.168, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0198691 - 2.0350407 - ÚFE 2011 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Matuchová, M. - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří
Lead iodide crystals prepared under stoichiometric and nonstoichiometric conditions.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 165, 1-2 (2010), s. 60-63. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944.
[9TH International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Lodz, 01.06.2010-04.06.2010]
Grant CEP: GA ČR GC104/08/J025
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Semiconductors * Galvanomagnetic effects * Photoluminescence
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 1.568, rok: 2010
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0190422 - 3.0325983 - ÚFE 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Matuchová, Marie - Žďánský, Karel - Zavadil, Jiří - Danilewsky, A. - Maixner, J. - Alexiev, D.
Electrical, optical and structural properties of lead iodide.
[Elektrické, optické a strukturní vlastnosti jodidu olovnatého.]
Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 20, č. 3 (2009), s. 289-294. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X
Grant CEP: GA ČR GC104/08/J025
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Semiconductors * Galvanomagnetic effects * Photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.020, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0173235 - 4.0304148 - URE-Y 20030099 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
Physica Status Solidi C. Roč. 0, č. 3 (2003), s. 862-866. ISSN 1610-1634.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest, 26.05.2002-29.05.2002]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114289 - 5.0105964 - URE-Y 20040124 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Krier, A.
Structural modification of InAs based materials for mid-infrared optoelectronic devices.
[Tvarování struktur na bázi InAs pro optoelektronické součástky ve střední infračervené oblasti spekra.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 203-206. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT ME 610
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013149 - 6.0105961 - URE-Y 20040121 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Kozak, Halina
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection.
[Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 247-250. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) IBS2067354; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013146 - 7.0105953 - URE-Y 20040105 PL eng A - Abstrakt
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga
Optical properties of InP layers prepared with the addition of Ce, Tm and Lu in the growth melt.
4th International Conference on Solid State Crystals: Material Science and Applications - 7th Polish Conference on Crystal Growth. Warszaw: Polish Society for Crystal Growth, 2004 - (Sangwal, K.; Rogalski, A.). B10
[ICSSC /4./ - PCCG /7./. 16.05.2004-20.05.2004, Zakopane]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379; GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013141 - 8.0105873 - URE-Y 20040038 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Pekárek, Ladislav - Procházková, Olga - Kacerovský, Pavel
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements.
[Studium žíhání čistých a Mn dotovaných krystalů InP při vysoké teplotě: fotoluminescence a hallovská měření.]
Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002. Weinheim: WileyVCH Verlag, 2003 - (Stutzmann, M.), s. 862-866. Physica Status Solidi, Conferences, 0.3.2003. ISBN 3-527-40436-8.
[EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./. Budapest (HU), 26.05.2002-29.05.2002]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013061 - 9.0089695 - ÚFE 2008 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Gladkov, Petar
Photoluminescence properties of GaSb epitaxial layers passivated in hydrogen plasma.
[Fotoluminiscenční vlastnosti epitaxních vrstev GaSb pasivovaných ve vodíkové plasmě.]
Physica Status Solidi A. Roč. 204, č. 4 (2007), s. 1030-1033. ISSN 0031-8965
Grant CEP: GA MŠMT ME 834
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: photoluminescence * semiconductors * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.214, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0150826 - 10.0086200 - ÚFE 2008 RIV RO eng J - Článek v odborném periodiku
Zavadil, Jiří - Procházková, Olga - Žďánský, Karel - Gladkov, Petar
InP p-type epitaxial layers grown with the addition of rare-earth elements for use in radiation detection.
[InP epitaxní vrstvy typu p připravené za přítomnosti prvků vzácných zemin pro detekci radiačního záření.]
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Roč. 9, č. 5 (2007), s. 1221-1226. ISSN 1454-4164. E-ISSN 1841-7132.
[ROCAM 2006 - Romanian Conference on Advanced Materials /5./. Bucuresti, 11.09.2006-14.11.2006]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * galvanomagnetic effects
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.827, rok: 2007
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004150