Výsledky vyhledávání
- 1.0575229 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Todt, C. - Telkamp, S. - Křížek, Filip - Reichl, C. - Gabureac, M. - Schott, R. - Cheah, E. - Zeng, P. - Weber, T. - Müller, A. - Vockenhuber, C. - Panah, M.B. - Wegscheider, W.
Development of Nb-GaAs based superconductor-semiconductor hybrid platform by combining in situ dc magnetron sputtering and molecular beam epitaxy.
Physical Review Materials. Roč. 7, č. 7 (2023), č. článku 076201. ISSN 2475-9953. E-ISSN 2475-9953
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Nb sputtering * ultra high vacuum sputtering * Nb-GaAs material system * superconductor semiconductor hybrids
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.4, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.7.076201
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0349118 - 2.0574361 - FZÚ 2024 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Troha, Tinkara - Klimovič, F. - Ostatnický, T. - Kadlec, Filip - Kužel, Petr - Němec, Hynek
Ultrafast long-distance electron-hole plasma expansion in GaAs mediated by stimulated emission and reabsorption of photons.
Physical Review Letters. Roč. 133, č. 22 (2023), č. článku 226301. ISSN 0031-9007. E-ISSN 1079-7114
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA23-05640S
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: ultrafast dynamics * plasma expansion * semiconductors * terahertz spectroscopy * GaAs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 8.6, rok: 2022
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.130.226301
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0344700 - 3.0560717 - FZÚ 2023 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Hubík, Pavel - Vanko, G. - Zaťko, B. - Boháček, P. - Sekáčová, M. - Šagátová, A. - Nečas, V.
Investigation of Mg contact on SI-GaAs.
Proceedings of the 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems. New York: IEEE, 2020 - (Vanko, G.; Izsák, T.), s. 147-151. ISBN 978-1-7281-9776-0.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems - (ASDAM) /13./. Smolenice (SK), 11.10.2020-14.10.2020]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: semi-insulating GaAs * contacts * magnesium * electron transport
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0333572 - 4.0547633 - ÚI 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Dropka, N. - Böttcher, K. - Holeňa, Martin
Development and Optimization of VGF-GaAs Crystal Growth Process Using Data Mining and Machine Learning Techniques.
Crystals. Roč. 11, č. 10 (2021), č. článku 1218. ISSN 2073-4352. E-ISSN 2073-4352
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA18-18080S
Institucionální podpora: RVO:67985807
Klíčová slova: VGF-GaAs growth * machine learning * data mining * decision trees * correlation analysis * PCA biplot * k-means clustering
Obor OECD: Computer sciences, information science, bioinformathics (hardware development to be 2.2, social aspect to be 5.8)
Impakt faktor: 2.670, rok: 2021
Způsob publikování: Open access
http://dx.doi.org/10.3390/cryst11101218
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0323829Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0547633-afin.pdf 3 3.2 MB OA CC BY 4.0 Vydavatelský postprint povolen - 5.0541776 - ÚI 2022 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Dropka, N. - Ecklebe, S. - Holeňa, Martin
Real Time Predictions of VGF-GaAs Growth Dynamics by LSTM Neural Networks.
Crystals. Roč. 11, č. 2 (2021), č. článku 138. ISSN 2073-4352. E-ISSN 2073-4352
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA18-18080S
Institucionální podpora: RVO:67985807
Klíčová slova: neural networks * crystal growth * GaAs * process control * digital twins
Obor OECD: Computer sciences, information science, bioinformathics (hardware development to be 2.2, social aspect to be 5.8)
Impakt faktor: 2.670, rok: 2021
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0319303Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 541776-aoa.pdf 2 3.5 MB OA CC BY 4.0 Vydavatelský postprint povolen - 6.0537997 - FZÚ 2021 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Slavická Zíková, Markéta
Quantum dots grown by metal-organic vapot phase epitax.
20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. Košice: Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 - (Džubinská, A.; Reiffers, M.), s. 73-74. ISBN 978-80-89855-13-1.
[Conference of Czech and Slovak Physicists /20./. Prague (CZ), 07.09.2020-10.09.2020]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1603
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: quantum dots * MOVPE * InGaAs * GaAs
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315829 - 7.0521995 - FZÚ 2020 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mičušík, M. - Boháček, P. - Zaťko, B. - Gombia, E. - Kováč, J. - Nečas, V.
Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry.
APCOM 2019. New York: American Institute of Physics Inc., 2019 - (Jamnicky, I.; Vajda, J.; Sitek, J.), s. 1-4, č. článku 020010. ISBN 9780735418738.
[International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /25./. Štrbské Pleso (SK), 19.06.2019-21.06.2019]
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: SI-GaAs * heterojunction * I-V characteristics * capacitance
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://printorders.aip.org/proceedings/2131
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306535 - 8.0521463 - FZÚ 2021 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Espinoza Herrera, Shirly J. - Richter, Steffen - Rebarz, Mateusz - Herrfurth, O. - Schmidt-Grund, R. - Andreasson, Jakob - Zollner, S.
Transient dielectric functions of Ge, Si, and InP from femtosecond pump-probe ellipsometry.
Applied Physics Letters. Roč. 115, č. 5 (2019), s. 1-4, č. článku 052105. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA MŠMT LQ1606
Výzkumná infrastruktura: ELI Beamlines II - 90094
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: deformation potentials * temperature-dependence * critical-points * GaAs
Obor OECD: Fluids and plasma physics (including surface physics)
Impakt faktor: 3.597, rok: 2019
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306082Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0521463.pdf 1 1.4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen - 9.0509922 - ÚFP 2020 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Medvedev, Nikita - Fang, Z. - Xia, Ch. - Li, Z.
Thermal and nonthermal melting of III-V compound semiconductors.
Physical Review B. Roč. 99, č. 14 (2019), č. článku 144101. ISSN 2469-9950. E-ISSN 2469-9969
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LM2015083
Institucionální podpora: RVO:61389021
Klíčová slova: binding molecular-dynamics * electronic-structure * gallium-arsenide * gaas
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 3.575, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.99.144101
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300512 - 10.0509479 - FZÚ 2020 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Kolesár, V. - Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Gombia, E. - Dubecký, M.
Charge collection efficiency of Pt vs. Mg contacts on semi-insulating GaAs.
Applied Surface Science. Roč. 467, Feb (2019), s. 1219-1225. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: semi-insulating GaAs * metal-semiconductor contact * metal-oxide-semiconductor contact * charge collection efficiency
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.182, rok: 2019
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.10.164
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0300223