Výsledky vyhledávání
- 1.0328675 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Výborný, Zdeněk - Leys, M.R. - Boeykens, S.
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures.
[Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC.]
Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nitrides * silicon carbide * deep levels * DLTS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.072, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0174934 - 2.0320707 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef
Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique.
[Interpretace DLTS spekter p-n přechodů v křemíku připravených difúzní technologií.]
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 155 - 158. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon * p-n junction * deep levels * DLTS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169500