Výsledky vyhledávání
- 1.0556272 - FZÚ 2023 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Cvrček, Jan - Cimrman, Martin - Vojna, David - Štěpánková, Denisa - Foršt, Ondřej - Smrž, Martin - Novák, Ondřej - Slezák, Ondřej - Chyla, Michal - Jelínek, M. - Mocek, Tomáš
Investigation of the lasing performance of a crystalline-coated Yb:YAG thin-disk directly bonded onto a silicon carbide heatsink.
Optics Express. Roč. 30, č. 5 (2022), s. 7708-7715. ISSN 1094-4087
Grant CEP: GA MŠMT EF15_006/0000674; GA TA ČR(CZ) FW03010298
GRANT EU: European Commission(XE) 739573 - HiLASE CoE
Grant ostatní: OP VVV - HiLASE-CoE(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_006/0000674
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: Yb:YAG * thin disk * silicon carbide heatsink
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Impakt faktor: 3.8, rok: 2022
Způsob publikování: Open access
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0330557Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0556272.pdf 0 3 MB Optica Open Access Publishing Agreement Vydavatelský postprint povolen - 2.0542805 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vaněk, Tomáš - Hájek, František - Dominec, Filip - Hubáček, Tomáš - Kuldová, Karla - Pangrác, Jiří - Košutová, Tereza - Kejzlar, P. - Bábor, P. - Lachowski, A. - Hospodková, Alice
Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms.
Journal of Crystal Growth. Roč. 565, July (2021), č. článku 126151. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT LM2018110; GA TA ČR(CZ) FW03010298
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: characterization * growth models * MOVPE * nitrides * scintillators
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 1.830, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320191Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0542805.pdf 0 1.1 MB Autorský postprint povolen - 3.0542725 - FZÚ 2022 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hájek, František - Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Dominec, Filip - Horešovský, Robert - Kuldová, Karla
Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells.
Journal of Luminescence. Roč. 236, Aug (2021), č. článku 118127. ISSN 0022-2313. E-ISSN 1872-7883
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA TA ČR(CZ) FW03010298
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitrides * impurity * SIMS * InGaN/GaN
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 4.171, rok: 2021
Způsob publikování: Open access s časovým embargem
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0320090Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0542725.pdf 4 1 MB Autorský postprint povolen